Образец цитирования:
А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, “Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками”, УФН, 171:12 (2001), 1371–1373; Phys. Usp., 44:12 (2001), 1304–1307
Туннельная спектроскопия квазидвумерных плазмонов В. А. Волков, Э. Е. Тахтамиров, Д. Ю. Иванов, Ю. В. Дубровский, Л. Ивс, П. C. Мэйн, М. Хенини, Д. K. Мауд, Дж. С. Портал, Ж. К. Маан, Д. Хилл УФН, 2001, 171:12, 1368–1370
Pokutnyi S.I., Jacak L., “Intensity of Radiative Recombination in the Germanium/Silicon Nanosystem With Germanium Quantum Dots”, Crystals, 11:3 (2021), 275
Pokutnyi I.S., “Enhancement the Intensity of Optical Transitions in the Germanium/Silicon Nanosystem With Germanium Quantum Dots”, Physica B, 616 (2021), 413059
И. Ю. Еремчев, М. Ю. Еремчев, А. В. Наумов, “Многофункциональный люминесцентный наноскоп дальнего поля для исследования одиночных молекул и квантовых точек (к 50-летию Института спектроскопии РАН)”, УФН, 189:3 (2019), 312–322; I. Yu. Eremchev, M. Yu. Eremchev, A. V. Naumov, “Multifunctional far-field luminescence nanoscope for studying single molecules and quantum dots (50th anniversary of the Institute of Spectroscopy, Russian Academy of Sciences)”, Phys. Usp., 62:3 (2019), 294–303
Мороков Ю.Н., Федорук М.П., Зиновьева А.Ф., Ненашев А.В., “Моделирование полей упругих деформаций для упорядоченных массивов нанокластеров германия в кремнии”, Известия алтайского государственного университета, 2012, 99–102
Larisa V Arapkina, Vladimir A Yuryev, Kirill V Chizh, Vladimir M Shevlyuga, Mikhail S Storojevyh, Lyudmila A Krylova, “Phase transition on the Si(001) clean surface prepared in UHV MBE chamber: a study by high-resolution STM and in situ RHEED”, Nanoscale Res Lett, 6:1 (2011), 218
Oleksiy B. Agafonov, Christian Dais, Detlev Grützmacher, Rolf J. Haug, “Quantum confinement effects in Si/Ge heterostructures with spatially ordered arrays of self-assembled quantum dots”, Appl Phys Lett, 96:22 (2010), 222107
A. V. Koropov, “Morphological stability of small islands upon deposition of a substance on the crystal surface”, Phys Solid State, 50:11 (2008), 2184
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, С. В. Чайковский, “Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 113–117; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, “Barrier height and tunneling current in Schottky diodes with embedded layers of quantum dots”, JETP Letters, 75:2 (2002), 102–106