|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 7, страницы 549–552
(Mi jetpl882)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отд. РАН
Аннотация:
Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) исследована эмиссия дырок из связывающего состояния двухатомных искусственных молекул, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Обнаружено, что при толщине барьерного слоя Si между квантовыми точками Ge больше 2.5 нм энергия связи дырки в искусственной молекуле становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки, что противоречит результатам квантовомеханической модели молекулярных связей и свидетельствует об определяющей роли механических напряжений в формировании связывающей орбитали в системе упруго напряженных квантовых точек.
Поступила в редакцию: 16.08.2007
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 549–552; JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl882 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i7/p549
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 200 | PDF полного текста: | 75 | Список литературы: | 30 |
|