Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2007, том 86, выпуск 7, страницы 549–552 (Mi jetpl882)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si

А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отд. РАН
PDF полного текста (609 kB) Список цитирования (6)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методом спектроскопии комплексной проводимости (адмиттанса) исследована эмиссия дырок из связывающего состояния двухатомных искусственных молекул, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si(001). Обнаружено, что при толщине барьерного слоя Si между квантовыми точками Ge больше 2.5 нм энергия связи дырки в искусственной молекуле становится меньше энергии ионизации одиночной квантовой точки, что противоречит результатам квантовомеханической модели молекулярных связей и свидетельствует об определяющей роли механических напряжений в формировании связывающей орбитали в системе упруго напряженных квантовых точек.
Поступила в редакцию: 16.08.2007
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, Volume 86, Issue 7, Pages 478–481
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364007190113
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Образец цитирования: А. И. Якимов, А. И. Никифоров, А. В. Двуреченский, “Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 549–552; JETP Letters, 86:7 (2007), 478–481
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakNikDvu07}
\by А.~И.~Якимов, А.~И.~Никифоров, А.~В.~Двуреченский
\paper Связывающее состояние дырки в двойных квантовых точках Ge/Si
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 86
\issue 7
\pages 549--552
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl882}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 86
\issue 7
\pages 478--481
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007190113}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000251843800011}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-37549012134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl882
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v86/i7/p549
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    1. Pokutnyi S.I. Jacak L., Crystals, 11:3 (2021), 275  crossref  isi  scopus
    2. Pokutnyi I.S., Physica B, 616 (2021), 413059  crossref  isi  scopus
    3. А. И. Якимов, Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012), 77–86  mathnet  elib; A. I. Yakimov, JETP Letters, 96:1 (2012), 75–83  crossref  isi  elib
    4. Vengrenovich R.D., Ivanskii B.V., Moskalyuk A.V., Opto-Electronics Review, 18:2 (2010), 168–175  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    5. Vengrenovych R.D., Ivanskyi B.V., Stasyk M.O., Metallofizika i Noveishie Tekhnologii, 32:8 (2010), 1085–1104  isi
    6. Yakimov A.I., Mikhalyov G.Yu., Dvurechenskii A.V., Nanotechnology, 19:5 (2008), 055202  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:220
    PDF полного текста:81
    Список литературы:37
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025