Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек

Изучен эффект Холла в структурах с двумерным массивом туннельно-связанных квантовых точек Ge, выращенных на Si с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии. Проводимость структур в нулевом магнитном поле при $4.2$ К изменялась в диапазоне $10^{-4}-10^{-12}$ Ом$^{-1}$, включающем как диффузионный транспорт в режиме слабой локализации, так и режим прыжковой проводимости. Показано, что эффект Холла регистрируется на фоне вклада магнетосопротивления не только в высокопроводящих, но и в низкопроводящих структурах. Коэффициент Холла в прыжковом режиме показывает немонотонную зависимость от степени заполнения квантовых точек дырками, что коррелирует с поведением радиуса локализации волновых функций дырок.