Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 92, выпуск 1, страницы 43–46 (Mi jetpl763)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots

A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch RAS
Список литературы:
Аннотация: We have calculated the exchange energy, double occupation probability of the lowest singlet state, and degree of entanglement of two holes in vertically coupled double Ge/Si quantum dots. We determined the conditions on which the exchange coupling is large enough for a fast swap operation in quantum computation and the double-occupancy probability is still low, thus maximizing the entanglement for a small computation error. We found that both the degree of entanglement and double-occupancy probability for quantum dots with different dot size collapse onto universal, size independent curves when plotted as a function of singlet-triplet splitting.
Поступила в редакцию: 11.05.2010
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, Volume 92, Issue 1, Pages 36–39
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364010130072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010), 43–46; JETP Letters, 92:1 (2010), 36–39
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakBloDvu10}
\by A.~I.~Yakimov, A.~A.~Bloshkin, A.~V.~Dvurechenskii
\paper Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 92
\issue 1
\pages 43--46
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl763}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 92
\issue 1
\pages 36--39
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010130072}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000281694200007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77956577100}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl763
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i1/p43
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. Dvurechenskii A.V. Yakimov A.I., Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, ed. Latyshev A. Dvurechenskii A. Aseev A., Elsevier Science BV, 2017, 59–99  crossref  isi  scopus
    2. А. И. Якимов, Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012), 77–86  mathnet  elib; A. I. Yakimov, JETP Letters, 96:1 (2012), 75–83  crossref  isi  elib
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:215
    PDF полного текста:82
    Список литературы:37
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025