|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей
А. И. Якимовab, В. В. Кириенкоa, В. А. Армбристерa, А. В. Двуреченскийca a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Измерены коэффициент фотоэлектрического усиления, спектры фототока дырок в среднем инфракрасном диапазоне и межзонной фотолюминесценции в массивах квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с различным элементным составом гетерограницы. Диффузионное перемешивание материалов матрицы и квантовых точек контролировалось выбором температуры заращивания слоев германия кремнием. Обнаружено, что формирование резкой гетерограницы приводит к усилению фототока дырок и гашению сигнала фотолюминесценции. Результаты объяснены ростом времени жизни неравновесных дырок вследствие подавления процессов захвата на связанные состояния квантовых точек.
Поступила в редакцию: 19.08.2016
Образец цитирования:
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 507–511; JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5081 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i7/p507
|
|