Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2016, том 104, выпуск 7, страницы 507–511
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16190073 (Mi jetpl5081) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей

А. И. Якимовab, В. В. Кириенкоa, В. А. Армбристерa, А. В. Двуреченскийca

a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (420 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16190073
Аннотация: Измерены коэффициент фотоэлектрического усиления, спектры фототока дырок в среднем инфракрасном диапазоне и межзонной фотолюминесценции в массивах квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с различным элементным составом гетерограницы. Диффузионное перемешивание материалов матрицы и квантовых точек контролировалось выбором температуры заращивания слоев германия кремнием. Обнаружено, что формирование резкой гетерограницы приводит к усилению фототока дырок и гашению сигнала фотолюминесценции. Результаты объяснены ростом времени жизни неравновесных дырок вследствие подавления процессов захвата на связанные состояния квантовых точек.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03024_офи_м
Исследование выполнено за счет гранта Российского фонда фундаментальных исследований (проект 16-29-03024).
Поступила в редакцию: 19.08.2016
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, Volume 104, Issue 7, Pages 479–482
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364016190140
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Якимов, В. В. Кириенко, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 507–511; JETP Letters, 104:7 (2016), 479–482
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakKirArm16}
\by А.~И.~Якимов, В.~В.~Кириенко, В.~А.~Армбристер, А.~В.~Двуреченский
\paper Усиление фототока дырок в слоях квантовых точек $\mathrm{Ge/Si}$ с резкой гетерограницей
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 7
\pages 507--511
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5081}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16190073}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=26935566}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 7
\pages 479--482
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016190140}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000390046300007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85003794684}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5081
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i7/p507
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:130
    PDF полного текста:43
    Список литературы:41
    Первая страница:3
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024