|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны
А. А. Блошкинab, А. И. Якимовa, А. В. Двуреченскийab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация:
Методом конечных элементов исследовано пространственное распределение электрического поля в фотоприемных гетероструктурах Ge/Si, сопряженных с регулярными золотыми решетками субволновых отверстий на поверхности Si. Период решетки составлял 1.2 мкм, диаметр отверстий 0.7 мкм. Определена эффективность усиления поля в таких гетероструктурах при различной толщине активной области, занятой квантовыми точками. Показано, что в случае падения электромагнитной волны со стороны кремниевой подложки фактор усиления поля в $\sim$3.5 раза больше, чем при облучении фотоприемника со стороны воздушной границы. Установлено, что в первом случае коэффициент усиления поля немонотонно меняется с изменением толщины активной области.
Поступила в редакцию: 01.08.2018 Исправленный вариант: 13.08.2018
Образец цитирования:
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 206–210; Semiconductors, 53:2 (2019), 195–199
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5587 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p206
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 6 |
|