Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках

Проведено исследование особенностей роста, а также структурных и оптических свойств слоев CaSi$_{2}$, сформированных в процессе последовательного осаждения Si и CaF$_{2}$ на подложку Si(111) при одновременном облучении пучком быстрых электронов. Спектры комбинационного рассеяния света, снятые в областях воздействия электронным пучком, продемонстрировали пики, характерные для кристаллических слоев CaSi$_{2}$. Исследование морфологии поверхности сформированных структур показало, что в выбранных условиях синтез слоев CaSi$_{2}$ при электронном облучении происходит по двумерно-слоевому механизму. Спектры фотолюминесценции, измеренные в областях, модифицированных электронным пучком, имеют существенные отличия от спектров, снятых вне области электронного облучения.