|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.
Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках
В. А. Зиновьевa, А. В. Кацюбаa, В. А. Володинab, А. Ф. Зиновьеваab, С. Г. Черковаa, Ж. В. Смагинаa, А. В. Двуреченскийab, А. Ю. Крупинc, О. М. Бородавченкоd, В. Д. Живулькоd, А. В. Мудрыйd a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Новосибирский государственный технический университет
d Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
Аннотация:
Проведено исследование особенностей роста, а также структурных и оптических свойств слоев CaSi$_{2}$, сформированных в процессе последовательного осаждения Si и CaF$_{2}$ на подложку Si(111) при одновременном облучении пучком быстрых электронов. Спектры комбинационного рассеяния света, снятые в областях воздействия электронным пучком, продемонстрировали пики, характерные для кристаллических слоев CaSi$_{2}$. Исследование морфологии поверхности сформированных структур показало, что в выбранных условиях синтез слоев CaSi$_{2}$ при электронном облучении происходит по двумерно-слоевому механизму. Спектры фотолюминесценции, измеренные в областях, модифицированных электронным пучком, имеют существенные отличия от спектров, снятых вне области электронного облучения.
Ключевые слова:
силициды кальция, фторид кальция, молекулярно-лучевая эпитаксия, электронное облучение, атомная структура, фотолюминесценция.
Поступила в редакцию: 12.04.2021 Исправленный вариант: 19.04.2021 Принята в печать: 19.04.2021
Образец цитирования:
В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 725–728; Semiconductors, 55:10 (2021), 808–811
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4972 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p725
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 52 | PDF полного текста: | 14 |
|