|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2001, том 74, выпуск 5, страницы 296–299
(Mi jetpl4203)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si
А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Методом сканирующей туннельной микроскопии экспериментально исследовано распределение по размерам островков Ge, формирующихся в экспериментах двух видов при гетероэпитаксии Ge на Si(111): 1) обычный процесс молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ); 2) импульсное ($0.5$ с) облучение ионами Ge c энергией $\simeq200$ эВ в моменты времени, соответствующие степени заполнения $>0.5$ каждого монослоя. Эксперименты выполнялись при температуре $350^\circ$ С. Обнаружено, что импульсное облучение пучком ионов в процессе гетероэпитаксии приводит к уменьшению среднего размера островков Ge, увеличению их плотности и уменьшению среднеквадратичного отклонения от среднего значения по сравнению с аналогичными величинами в опытах по обычной МЛЭ.
Поступила в редакцию: 30.07.2001
Образец цитирования:
А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, “Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si”, Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001), 296–299; JETP Letters, 74:5 (2001), 267–269
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4203 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v74/i5/p296
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 126 | PDF полного текста: | 53 | Список литературы: | 1 |
|