|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 4, страницы 189–194
(Mi jetpl1249)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
Аннотация:
В модели поля валентных сил с использованием межатомного потенциала Китинга рассчитаны механические напряжения в многослойной гетероструктуре Ge/Si(001) с вертикально совмещенными нанокластерами (квантовыми точками) Ge. Обнаружено, что неоднородное пространственное распределение упругих деформаций в такой среде приводит к появлению в напряженных слоях Si вблизи нанокластеров Ge трехмерной потенциальной ямы для электронов. Глубина потенциальной ямы достигает величины 100 мэВ, а ее пространственные размеры определяются диаметром нанокластеров Ge. Для структуры, состоящей из 4–х островков Ge диаметром 23 нм, расположенных один над другим, определены энергии связи электронов в этой яме и пространственное распределение плотности электронного заряда. Основное состояние имеет $s$–образную симметрию и характеризуется энергией связи электрона $\sim95$ и $\sim60$ мэВ для элементного состава Ge в нанокластерах $c=1$ и $c=0.7$, соответственно. Существование в зоне проводимости напряженного Si связанных электронных состояний должно приводить к ослаблению правил отбора, определяющих низкую эффективность излучательной рекомбинации в непрямозонных полупроводниках, и позволяет объяснить наблюдающееся на опыте высокое значение силы осциллятора для межзонных переходов в многослойных структурах Ge/Si(001) с вертикальной корреляцией расположения нанокластеров Ge.
Поступила в редакцию: 10.01.2006
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев, “Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 189–194; JETP Letters, 83:4 (2006), 156–161
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1249 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i4/p189
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 236 | PDF полного текста: | 80 | Список литературы: | 32 |
|