|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 90, выпуск 8, страницы 621–625
(Mi jetpl568)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского
отд. РАН
Аннотация:
Теоретически исследованы пространственная конфигурация экситонов и сила осциллятора, характеризующая интенсивность межзонных оптических переходов в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si. Обнаружено, что существуют условия (размеры квантовых точек, расстояние между точками), при которых происходит многократное (до 5 раз) увеличение вероятности экситонного перехода по сравнению со случаем одиночных квантовых точек. Ожидается, что полученные результаты позволят приблизиться к решению проблемы создания эффективных светоизлучающих и фотоприемных устройств на базе непрямозонных полупроводников Si и Ge.
Поступила в редакцию: 01.09.2009
Образец цитирования:
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009), 621–625; JETP Letters, 90:8 (2009), 569–573
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl568 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v90/i8/p621
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 272 | PDF полного текста: | 113 | Список литературы: | 46 |
|