Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2009, том 90, выпуск 8, страницы 621–625 (Mi jetpl568)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si

А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отд. РАН
PDF полного текста (870 kB) Список цитирования (15)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Теоретически исследованы пространственная конфигурация экситонов и сила осциллятора, характеризующая интенсивность межзонных оптических переходов в двойных вертикально связанных квантовых точках Ge/Si. Обнаружено, что существуют условия (размеры квантовых точек, расстояние между точками), при которых происходит многократное (до 5 раз) увеличение вероятности экситонного перехода по сравнению со случаем одиночных квантовых точек. Ожидается, что полученные результаты позволят приблизиться к решению проблемы создания эффективных светоизлучающих и фотоприемных устройств на базе непрямозонных полупроводников Si и Ge.
Поступила в редакцию: 01.09.2009
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, Volume 90, Issue 8, Pages 569–573
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364009200041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Образец цитирования: А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009), 621–625; JETP Letters, 90:8 (2009), 569–573
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakBloDvu09}
\by А.~И.~Якимов, А.~А.~Блошкин, А.~В.~Двуреченский
\paper Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2009
\vol 90
\issue 8
\pages 621--625
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl568}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2009
\vol 90
\issue 8
\pages 569--573
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364009200041}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000273574900004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-73649124996}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl568
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v90/i8/p621
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:258
    PDF полного текста:111
    Список литературы:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024