Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы

Рассмотрены различные подходы к встраиванию самоформирующихся квантовых точек Ge(Si) в двумерные фотонные кристаллы. Первый подход включает в себя синтез на структурированной поверхности подложки упорядоченного массива квантовых точек Ge(Si), на котором затем формируется фотонный кристалл. Во втором подходе сам фотонный кристалл служит основой для упорядоченного роста квантовых точек. Показано, что в рамках второго подхода, меняя диаметр отверстий фотонного кристалла, можно реализовать два режима роста квантовых точек, при которых они формируются внутри или снаружи отверстий фотонного кристалла. Для структур с упорядоченными квантовыми точками, встроенными в фотонный кристалл, обнаружен рост интенсивности сигнала фотолюминесценции при комнатной температуре в спектральном диапазоне 0.9–1.2 эВ, который связывается с взаимодействием излучения структуры с радиационными модами фотонного кристалла.