Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Жуков Алексей Евгеньевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 75
Научных статей: 73

Статистика просмотров:
Эта страница:1178
Страницы публикаций:8979
Полные тексты:3598
Списки литературы:251
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person53343
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, С. Д. Комаров, И. С. Махов, К. А. Иванов, Э. И. Моисеев, Е. Е. Антонов, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, А. Е. Жуков, “Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом”, Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024),  107–113  mathnet  elib
2. Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, А. М. Надточий, К. А. Иванов, Э. И. Моисеев, И. А. Мельниченко, С. Д. Комаров, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, А. Е. Жуков, “Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках”, Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  57–60  mathnet  elib
3. И. А. Мельниченко, С. Д. Комаров, А. С. Драгунова, А. А. Караборчев, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, А. Е. Жуков, “Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  3–6  mathnet  elib
4. А. С. Паюсов, Г. О. Корнышов, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Вклад связанных волноводов в сопротивление гетероструктуры мощных торцевых лазеров InGaAs/GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  18–22  mathnet  elib
2023
5. Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов, С. Д. Комаров, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, И. С. Махов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023),  1483–1485  mathnet  elib
6. И. А. Мельниченко, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов, А. М. Надточий, И. С. Махов, М. Г. Козодаев, Р. Р. Хакимов, А. М. Маркеев, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, Ю. А. Гусева, А. И. Лихачев, Е. С. Колодезный, А. Е. Жуков, “Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства”, Оптика и спектроскопия, 131:8 (2023),  1112–1117  mathnet  elib
7. М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, О. И. Симчук, Н. Ю. Гордеев, А. А. Бекман, А. С. Паюсов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. М. Кулагина, А. Е. Жуков, “Широкополосное излучение суперлюминесцентных диодов на основе многослойных структур с квантовыми яма-точками InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  301–307  mathnet  elib
8. С. В. Балакирев, Д. В. Кириченко, С. Д. Комаров, А. С. Драгунова, Н. Е. Черненко, Н. А. Шандыба, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, М. С. Солодовник, “Влияние давления мышьяка при заращивании квантовых точек InAs тонким низкотемпературным слоем GaAs на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  276–281  mathnet  elib
9. А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. А. Фоминых, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  215–220  mathnet  elib
10. Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, И. С. Махов, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. А. Фоминых, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, Ф. И. Зубов, Е. С. Колодезный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование $p$–$i$–$n$-фотодетектора с поглощающей средой на основе InGaAs/GaAs квантовых яма-точек”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  202–206  mathnet  elib
11. М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Кодирование информации с использованием двухуровневой генерации в лазере на квантовых точках”, Письма в ЖТФ, 49:5 (2023),  18–21  mathnet  elib
2022
12. А. М. Надточий, И. А. Мельниченко, К. А. Иванов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Температурные зависимости излучательного и безызлучательного времени жизни носителей в квантовых яма-точках InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022),  993–996  mathnet  elib
13. И. И. Новиков, И. А. Няпшаев, А. Г. Гладышев, В. В. Андрюшкин, А. В. Бабичев, Л. Я. Карачинский, Ю. М. Шерняков, Д. В. Денисов, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, А. Ю. Егоров, “Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  933–939  mathnet  elib; I. I. Novikov, I. A. Nyapshaev, A. G. Gladyshev, V. V. Andryushkin, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, Yu. M. Shernyakov, D. V. Denisov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov, A. Yu. Egorov, “The influence of the waveguide layer composition on the emission parameters of 1550 nm InGaAs/InP laser heterostructures”, Semiconductors, 56:11 (2022), 492–498
14. А. Е. Жуков, А. М. Надточий, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. А. Серин, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. С. Паюсов, Г. О. Корнышов, М. В. Максимов, Y. Wang, “Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  922–927  mathnet  elib; A. E. Zhukov, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, A. A. Serin, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. S. Payusov, G. O. Kornyshov, M. V. Maksimov, Y. Wang, “Internal loss in diode lasers with quantum well-dots”, Semiconductors, 57:11 (2023), 513–518
15. М. Е. Муретова, Ф. И. Зубов, Л. В. Асрян, Ю. М. Шерняков, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022),  363–369  mathnet  elib
16. А. А. Харченко, А. М. Надточий, А. А. Серин, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, S. Breuer, “Бимодальность в спектрах электролюминесценции InGaAs квантовых яма-точек”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022),  97–100  mathnet  elib
17. Н. Ю. Гордеев, Э. И. Моисеев, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, А. А. Бекман, Г. О. Корнышов, Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, “Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  36–40  mathnet  elib
18. И. С. Махов, А. А. Бекман, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Н. В. Крыжановская, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  40–43  mathnet  elib
19. С. А. Минтаиров, С. А. Блохин, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. А. Малеев, А. М. Надточий, Р. А. Салий, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35  mathnet  elib
20. Ф. И. Зубов, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, “Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596  mathnet
2021
21. А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. С. Драгунова, А. М. Надточий, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228  mathnet  elib
22. А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ф. И. Зубов, М. В. Фетисова, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825  mathnet  elib; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, F. I. Zubov, M. V. Fetisova, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, “Saturation power of a semiconductor optical amplifier based on self-organized quantum dots”, Semiconductors, 55 (2021), s67–s71 1
23. Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. С. Паюсов, А. А. Серин, Г. О. Корнышов, А. М. Надточий, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  256–263  mathnet  elib; Yu. M. Shernyakov, N. Yu. Gordeev, A. S. Payusov, A. A. Serin, G. O. Kornyshov, A. M. Nadtochiy, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Effect of the active region and waveguide design on the performance of edge-emitting lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Semiconductors, 55:3 (2021), 333–340 4
24. А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. С. Драгунова, “Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200  mathnet  elib; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. S. Dragunova, “Impact of substrate in calculating the electrical resistance of microdisk lasers”, Semiconductors, 55:2 (2021), 250–255 1
25. Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, С. А. Блохин, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. Е. Жуков, “Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6  mathnet  elib
26. Н. В. Крыжановская, И. А. Мельниченко, А. С. Букатин, А. А. Корнев, Н. А. Филатов, С. А. Щербак, А. А. Липовский, А. С. Драгунова, М. М. Кулагина, А. И. Лихачев, М. В. Фетисова, И. В. Редуто, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  30–33  mathnet  elib 2
27. А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31  mathnet  elib; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Energy consumption at high-frequency modulation of an uncooled InGaAs/GaAs/AlGaAs microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 685–688
2020
28. Д. А. Рыбалко, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K”, Оптика и спектроскопия, 128:1 (2020),  110–117  mathnet  elib; D. A. Rybalko, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Spectroscopy of photoluminescence excitation of InAs/InGaAs/GaAs quantum dot array in 20–300 K temperature range”, Optics and Spectroscopy, 158:1 (2020), 106–113 1
29. Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, А. Е. Жуков, Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, С. В. Морозов, “Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905  mathnet  elib; G. E. Cirlin, R. R. Reznik, A. E. Zhukov, R. A. Khabibullin, K. V. Marem'yanin, V. I. Gavrilenko, S. V. Morozov, “Specific growth features of nanostructures for terahertz quantum cascade lasers and their physical properties”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1092–1095 6
30. А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, “Предельная температура генерации микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574  mathnet  elib; A. E. Zhukov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, “Ultimate lasing temperature of microdisk lasers”, Semiconductors, 54:6 (2020), 677–681 2
31. Ф. И. Зубов, М. Е. Муретова, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, “Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  296–303  mathnet  elib; F. I. Zubov, M. E. Muretova, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, L. V. Asryan, “Parasitic recombination in a laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 54:3 (2020), 366–373 4
32. Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, С. А. Кадинская, M. Guina, А. Е. Жуков, “Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216  mathnet  elib; È. I. Moiseev, M. V. Maksimov, N. V. Kryzhanovskaya, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, S. A. Kadinskaya, M. Guina, A. E. Zhukov, “Comparative analysis of injection microdisk lasers based on InGaAsN quantum wells and InAs/InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 54:2 (2020), 263–267 5
33. С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14  mathnet  elib; S. A. Mintairov, I. M. Gadzhiev, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “High-speed photodetectors for the 950–1100 nm optical range based on In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs quantum well-dot nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222 1
34. А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, А. М. Можаров, С. А. Кадинская, О. И. Симчук, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6  mathnet  elib; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. S. Dragunova, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, A. M. Mozharov, S. A. Kadinskaya, O. I. Simchuk, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Lasing of injection microdisks with InAs/InGaAs/GaAs quantum dots transferred to silicon”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 783–786 4
35. Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. А. Харченко, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10  mathnet  elib; N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “A micro optocoupler based on a microdisk laser and a photodetector with an active region based on quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 629–632 3
36. А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7  mathnet  elib; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “The effect of self-heating on the modulation characteristics of a microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 515–519 4
37. С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, А. А. Харченко, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020),  3–6  mathnet  elib; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Experimental and theoretical examination of the photosensitivity spectra of structures with In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As quantum well-dots of the optical range (900–1050 nm)”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 203–206 5
2019
38. А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, М. М. Кулагина, А. С. Паюсов, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, T. Denneulin, N. Cherkashin, В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, “Инжекционные лазеры InGaAlP/GaAs оранжевого оптического диапазона ($\sim$600 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1708–1713  mathnet  elib; A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, M. M. Kulagina, A. S. Payusov, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, T. Denneulin, N. Cherkashin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, “InGaAlP/GaAs injection lasers of orangeoptical range ($\sim$600nm)”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1699–1704
39. А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Д. А. Санников, Т. Ф. Ягафаров, А. Е. Жуков, “Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1520–1526  mathnet  elib; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, D. A. Sannikov, T. F. Yagafarov, A. E. Zhukov, “Time-resolved photoluminescence of InGaAs nanostructures different in quantum dimensionality”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1489–1495 4
40. А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Можаров, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127  mathnet  elib; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Mozharov, F. I. Zubov, M. V. Maksimov, “Evaluation of the impact of surface recombination in microdisk lasers by means of high-frequency modulation”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1099–1103 2
41. М. В. Фетисова, А. А. Корнев, А. С. Букатин, Н. А. Филатов, И. Е. Елисеев, Н. В. Крыжановская, И. В. Редуто, Э. И. Моисеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  10–13  mathnet  elib; M. V. Fetisova, A. A. Kornev, A. S. Bukatin, N. A. Filatov, I. E. Eliseev, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Reduto, È. I. Moiseev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “The use of microdisk lasers based on InAs/InGaAs quantum dots in biodetection”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1178–1181 3
42. Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Г. О. Корнышов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39  mathnet  elib; F. I. Zubov, È. I. Moiseev, G. O. Kornyshov, N. V. Kryzhanovskaya, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, M. M. Kulagina, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Specific features of the current–voltage characteristic of microdisk lasers based on InGaAs/GaAs quantum well-dots”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 994–996 7
43. А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, Ф. И. Зубов, А. М. Можаров, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. М. Кулагина, С. А. Блохин, М. В. Максимов, “Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51  mathnet  elib; A. E. Zhukov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, F. I. Zubov, A. M. Mozharov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. M. Kulagina, S. A. Blokhin, M. V. Maksimov, “Energy consumption for high-frequency switching of a quantum-dot microdisk laser”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 847–849 4
44. М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Ф. И. Зубов, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, С. С. Рочас, Е. С. Колодезный, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, “Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  20–23  mathnet  elib; M. V. Maksimov, Yu. M. Shernyakov, F. I. Zubov, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, S. S. Rochas, E. S. Kolodeznyi, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, “Temperature dependence of characteristics of diode lasers with narrow quantum wells of the 1.55 $\mu$m spectral range based on phosphorous-free heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 549–552 1
45. А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ю. М. Шерняков, Г. О. Корнышов, А. А. Серин, А. С. Паюсов, В. Н. Неведомский, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазеры на основе квантовых яма-точек, излучающие в оптических диапазонах 980 и 1080 nm”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  42–45  mathnet  elib; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, Yu. M. Shernyakov, G. O. Kornyshov, A. A. Serin, A. S. Payusov, V. N. Nevedomskiy, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Lasers based on quantum well-dots emitting in the 980- and 1080-nm optical ranges”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 163–166 2
2018
46. Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Ю. С. Балезина (Полубавкина), Э. И. Моисеев, М. Е. Муретова, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526  mathnet  elib; L. V. Asryan, F. I. Zubov, Yu. S. Balezina (Polubavkina), È. I. Moiseev, M. E. Muretova, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Violation of local electroneutrality in the quantum well of a semiconductor laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1621–1629 4
47. А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Снижение внутренних потерь и теплового сопротивления в лазерных диодах со связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1351–1356  mathnet  elib; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Reduction of internal loss and thermal resistance in diode lasers with coupled waveguides”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1462–1467 5
48. М. В. Максимов, А. М. Надточий, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. П. Васильев, В. М. Устинов, А. А. Сeрин, Н. Ю. Гордеев, А. Е. Жуков, “Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46 мкм на основе квантовых точек на положках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1191–1196  mathnet  elib; M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 2
49. С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Cокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1131–1136  mathnet  elib; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, V. N. Nevedomskiy, L. A. Sokura, S. S. Ruvimov, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Multilayer quantum well–dot InGaAs heterostructures in GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1249–1254 2
50. Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, Ю. С. Полубавкина, А. Е. Жуков, “Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  260–265  mathnet  elib; F. I. Zubov, M. V. Maksimov, N. Yu. Gordeev, Yu. S. Polubavkina, A. E. Zhukov, “Suppression of recombination in the waveguide of a laser heterostructure by means of double asymmetric barriers”, Semiconductors, 52:2 (2018), 248–253
51. А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. С. Рувимов, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  57–62  mathnet  elib; A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, S. S. Ruvimov, V. N. Nevedomskiy, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Bimodality in arrays of In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As hybrid quantum-confined heterostructures grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:1 (2018), 55–58 5
52. А. Е. Жуков, Н. Ю. Гордеев, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, А. А. Серин, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, “Мощностные характеристики и температурная зависимость угловой расходимости излучения лазеров с приповерхностной активной областью”, Письма в ЖТФ, 44:15 (2018),  46–51  mathnet  elib; A. E. Zhukov, N. Yu. Gordeev, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. A. Serin, M. M. Kulagina, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, “Power characteristics and temperature dependence of the angular beam divergence of lasers with a near-surface active region”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 675–677 3
53. Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61  mathnet  elib; R. R. Reznik, G. E. Cirlin, I. V. Shtrom, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Coherent growth of InP/InAsP/InP nanowires on a Si (111) surface by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114 13
2017
54. Ф. И. Зубов, Е. С. Семенова, И. В. Кулькова, K. Yvind, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386  mathnet  elib; F. I. Zubov, E. S. Semenova, I. V. Kul'kova, K. Yvind, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “On the high characteristic temperature of an InAs/GaAs/InGaAsP QD laser with an emission wavelength of $\sim$1.5 $\mu$m on an InP substrate”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1332–1336 4
55. С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, А. Е. Жуков, “Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  704–710  mathnet  elib; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, A. E. Zhukov, “InAs QDs in a metamorphic In$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As matrix, grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:5 (2017), 672–678
56. Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  540–546  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. N. Klochkov, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, A. A. Zaitsev, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, Zh. I. Alferov, “Energy spectrum and thermal properties of a terahertz quantum-cascade laser based on the resonant-phonon depopulation scheme”, Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519 15
57. С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов, А. Е. Жуков, “Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  372–377  mathnet  elib; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, S. S. Ruvimov, A. E. Zhukov, “Optical properties of hybrid quantum-well–dots nanostructures grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:3 (2017), 357–362 2
58. Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280  mathnet  elib; N. V. Kryzhanovskaya, Yu. S. Polubavkina, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, A. Lazarenko, A. Yu. Egorov, M. V. Maksimov, È. I. Moiseev, A. E. Zhukov, “Study of the structural and optical properties of GaP(N) layers synthesized by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4$^\circ$ substrates”, Semiconductors, 51:2 (2017), 267–271 4
59. Ю. С. Полубавкина, Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Е. С. Семенова, K. Yvind, Л. В. Асрян, А. Е. Жуков, “Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268  mathnet  elib; Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, E. S. Semenova, K. Yvind, L. V. Asryan, A. E. Zhukov, “Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 51:2 (2017), 254–259 2
60. А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, А. Ю. Павлов, Н. В. Щаврук, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ж. И. Алфёров, “Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94  mathnet  elib; A. V. Ikonnikov, K. V. Marem'yanin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, A. Yu. Pavlov, N. V. Shchavruk, R. A. Khabibullin, R. R. Reznik, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Zh. I. Alferov, “Terahertz radiation generation in multilayer quantum-cascade heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 362–365 24
2016
61. Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, Ю. С. Полубавкина, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428  mathnet  elib; F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, Yu. S. Polubavkina, O. I. Simchuk, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. A. Lipovskii, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Laser characteristics of an injection microdisk with quantum dots and its free-space outcoupling efficiency”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1408–1411 5
62. Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1395–1400  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 20
63. Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386  mathnet  elib; L. V. Asryan, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Theory of the power characteristics of quantum-well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron- and hole-state filling”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1362–1368 12
64. А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, А. С. Паюсов, S. S. Rouvimov, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1202–1207  mathnet  elib; A. M. Nadtochiy, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, A. S. Payusov, S. S. Rouvimov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Optical properties of hybrid quantum-confined structures with high absorbance”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1180–1185 2
65. А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678  mathnet  elib; A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, R. R. Reznik, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, M. A. Kaliteevskii, K. A. Ivanov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, Zh. I. Alferov, “Multilayer heterostructures for quantum-cascade lasers operating in the terahertz frequency range”, Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666 9
66. Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397  mathnet  elib; N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 13
2014
67. Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи”, Квантовая электроника, 44:3 (2014),  189–200  mathnet  elib [N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Whispering-gallery mode microcavity quantum-dot lasers”, Quantum Electron., 44:3 (2014), 189–200  isi  scopus] 27
2010
68. А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. П. Васильев, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, “Стимулированное излучение квантовых точек при оптической накачке”, Квантовая электроника, 40:7 (2010),  579–582  mathnet  elib [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582  isi  scopus]
2008
69. А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, “Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек для систем оптической связи”, Квантовая электроника, 38:5 (2008),  409–423  mathnet  elib [A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, “Quantum dot diode lasers for optical communication systems”, Quantum Electron., 38:5 (2008), 409–423  isi  scopus] 52
2006
70. Е. В. Андреева, А. Е. Жуков, В. В. Прохоров, В. М. Устинов, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1100–1230 нм на основе InAs/AlGaAs/GaAs-гетероструктуры с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 36:6 (2006),  527–531  mathnet  elib [E. V. Andreeva, A. E. Zhukov, V. V. Prokhorov, V. M. Ustinov, S. D. Yakubovich, “Superluminescent InAs/AlGaAs/GaAs quantum dot heterostructure diodes emitting in the 1100—1230-nm spectral range”, Quantum Electron., 36:6 (2006), 527–531  isi  scopus] 8
2001
71. В. М. Устинов, Н. А. Малеев, А. Е. Жуков, А. Р. Ковш, А. В. Сахаров, Б. В. Воловик, А. Ф. Цацульников, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, Д. А. Лотт, Д. Бимберг, “Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками”, УФН, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 1
1995
72. Ж. И. Алфёров, Д. Бимберг, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, С. С. Рувимов, В. М. Устинов, И. Хейденрайх, “Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками”, УФН, 165:2 (1995),  224–225  mathnet; Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216  isi 5
1992
73. Ж. И. Алфёров, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
2019
74. А. Л. Асеев, Д. А. Варшалович, Е. П. Велихов, И. В. Грехов, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, С. В. Иванов, А. А. Каплянский, П. С. Копьев, Г. Я. Красников, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Памяти Жореса Ивановича Алферова”, УФН, 189:8 (2019),  899–900  mathnet; A. L. Aseev, D. A. Varshalovich, E. P. Velikhov, I. V. Grekhov, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, A. A. Kaplyanskii, P. S. Kop'ev, G. Ya. Krasnikov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “In memory of Zhores Ivanovich Alferov”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 839–840  isi
2010
75. А. Ф. Андреев, А. Л. Асеев, Е. П. Велихов, А. А. Горбацевич, Ю. В. Гуляев, А. Е. Жуков, Л. В. Келдыш, Г. Я. Красников, Н. Н. Леденцов, Ю. С. Осипов, Р. А. Сурис, В. Е. Фортов, “Жорес Иванович Алферов (к 80-летию со дня рождения)”, УФН, 180:3 (2010),  333–334  mathnet; A. F. Andreev, A. L. Aseev, E. P. Velikhov, A. A. Gorbatsevich, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, L. V. Keldysh, G. Ya. Krasnikov, N. N. Ledentsov, Yu. S. Osipov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “Zhores Ivanovich Alferov (on his 80th birthday)”, Phys. Usp., 53:3 (2010), 319–320  isi

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025