|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 393–397
(Mi phts6522)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
Н. В. Крыжановскаяa, М. В. Максимовab, С. А. Блохинb, М. А. Бобровbc, М. М. Кулагинаb, С. И. Трошковb, Ю. М. Задирановb, А. А. Липовскийca, Э. И. Моисеевa, Ю. В. Кудашоваa, Д. А. Лившицd, В. М. Устиновb, А. Е. Жуковace a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Innolume GmbH, Dortmund, Germany
e Санкт-Петербургский научный центр РАН
Аннотация:
Реализованы инжекционные микродисковые лазеры на подложках GaAs с минимальным диаметром 15 мкм и активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре без принудительного охлаждения. Длина волны генерации составила $\sim$1.27 мкм, минимальный пороговый ток 1.6 мА. Удельное тепловое сопротивление оценено равным 5 $\cdot$ 10$^{-3\circ}$С $\cdot$ см$^{2}$/Вт.
Поступила в редакцию: 30.06.2015 Принята в печать: 08.07.2015
Образец цитирования:
Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397; Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6522 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p393
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 23 |
|