Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 393–397 (Mi phts6522)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм

Н. В. Крыжановскаяa, М. В. Максимовab, С. А. Блохинb, М. А. Бобровbc, М. М. Кулагинаb, С. И. Трошковb, Ю. М. Задирановb, А. А. Липовскийca, Э. И. Моисеевa, Ю. В. Кудашоваa, Д. А. Лившицd, В. М. Устиновb, А. Е. Жуковace

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d Innolume GmbH, Dortmund, Germany
e Санкт-Петербургский научный центр РАН
Аннотация: Реализованы инжекционные микродисковые лазеры на подложках GaAs с минимальным диаметром 15 мкм и активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре без принудительного охлаждения. Длина волны генерации составила $\sim$1.27 мкм, минимальный пороговый ток 1.6 мА. Удельное тепловое сопротивление оценено равным 5 $\cdot$ 10$^{-3\circ}$С $\cdot$ см$^{2}$/Вт.
Поступила в редакцию: 30.06.2015
Принята в печать: 08.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 390–393
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030131
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, С. А. Блохин, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, Ю. М. Задиранов, А. А. Липовский, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, Д. А. Лившиц, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, “Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 393–397; Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KryMakBlo16}
\by Н.~В.~Крыжановская, М.~В.~Максимов, С.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, М.~М.~Кулагина, С.~И.~Трошков, Ю.~М.~Задиранов, А.~А.~Липовский, Э.~И.~Моисеев, Ю.~В.~Кудашова, Д.~А.~Лившиц, В.~М.~Устинов, А.~Е.~Жуков
\paper Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 393--397
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6522}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668200}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 390--393
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030131}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6522
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p393
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024