Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 19, страницы 37–39
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.19.48316.17938 (Mi pjtf5308) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs

Ф. И. Зубовa, Э. И. Моисеевa, Г. О. Корнышовa, Н. В. Крыжановскаяa, Ю. М. Шерняковb, А. С. Паюсовb, М. М. Кулагинаb, Н. А. Калюжныйb, С. А. Минтаировb, М. В. Максимовa, А. Е. Жуковa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (175 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.19.48316.17938
Аннотация: Исследованы сформированные глубоким травлением инжекционные микролазеры с активной областью на основе массивов квантовых ям-точек InGaAs/GaAs. Характер изменения вольт-амперной характеристики при уменьшении диаметра микролазеров указывает на формирование непроводящего электрический ток слоя толщиной около 1.5 $\mu$m вблизи боковой поверхности, что приводит к уменьшению эффективной площади протекания тока.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, микролазер, квантовые точки, вольт-амперная характеристика.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03127-ОФИ-М
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9787.2017/8.9
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (16-29-03127-ОФИ-М) и Минобрнауки РФ (3.9787.2017/8.9).
Поступила в редакцию: 19.06.2019
Исправленный вариант: 19.06.2019
Принята в печать: 20.06.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 10, Pages 994–996
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019100158
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Г. О. Корнышов, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, А. С. Паюсов, М. М. Кулагина, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 37–39; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 994–996
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZubMoiKor19}
\by Ф.~И.~Зубов, Э.~И.~Моисеев, Г.~О.~Корнышов, Н.~В.~Крыжановская, Ю.~М.~Шерняков, А.~С.~Паюсов, М.~М.~Кулагина, Н.~А.~Калюжный, С.~А.~Минтаиров, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков
\paper Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 19
\pages 37--39
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5308}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.19.48316.17938}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300892}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 10
\pages 994--996
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019100158}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5308
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i19/p37
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024