Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1122–1127
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48005.9098
(Mi phts5439)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции

А. Е. Жуковab, Э. И. Моисеевa, Н. В. Крыжановскаяab, С. А. Блохинc, М. М. Кулагинаc, Ю. А. Гусеваc, С. А. Минтаировac, Н. А. Калюжныйac, А. М. Можаровa, Ф. И. Зубовa, М. В. Максимовa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы микродисковые лазеры диаметром 10–30 мкм, работающие при комнатной температуре без термостабилизации, с активной областью на основе наноструктур гибридной размерности – квантовых ям-точек. Выполнены высокочастотные измерения отклика микролазеров в режиме прямой малосигнальной модуляции, с помощью которых установлены параметры быстродействия и проведен их анализ в зависимости от диаметра микролазера. Обнаружено, что $K$-фактор составляет (0.8 $\pm$ 0.2) нс, что соответствует оптическим потерям $\sim$6 см$^{-1}$, и при этом не наблюдается регулярная зависимость от диаметра. Обнаружено, что низкочастотная компонента коэффициента затухания релаксационных колебаний обратно пропорциональна диаметру. Такой характер зависимости свидетельствует об уменьшении времени жизни носителей заряда в микрорезонаторах малого диаметра, что может быть связано с преобладанием в них безызлучательной рекомбинации на боковых стенках.
Ключевые слова: микрорезонатор, микролазер, поверхностная рекомбинация, высокочастотная модуляция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-12-00287
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9796.2017/8.9
16.2593.2017/4.6
Работа выполнена при поддержке проекта РНФ 18-12-00287. Планаризация микродисков (А.М.М.) была разработана и выполнена при поддержке Министерства образования и науки России (3.9796.2017/8.9 и 16.2593.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 11.03.2019
Исправленный вариант: 18.03.2019
Принята в печать: 18.03.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1099–1103
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080220
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Можаров, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1122–1127; Semiconductors, 53:8 (2019), 1099–1103
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMoiKry19}
\by А.~Е.~Жуков, Э.~И.~Моисеев, Н.~В.~Крыжановская, С.~А.~Блохин, М.~М.~Кулагина, Ю.~А.~Гусева, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, А.~М.~Можаров, Ф.~И.~Зубов, М.~В.~Максимов
\paper Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1122--1127
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5439}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.48005.9098}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129843}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1099--1103
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080220}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5439
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1122
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024