Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1520–1526
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48448.9167 (Mi phts5358) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности

А. М. Надточийa, С. А. Минтаировb, Н. А. Калюжныйb, М. В. Максимовa, Д. А. Санниковcd, Т. Ф. Ягафаровc, А. Е. Жуковa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Сколковский институт науки и технологий
d Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
PDF полного текста (274 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48448.9167
Аннотация: Методом время-коррелированного счета одиночных фотонов исследована фотолюминесценция с временным разрешением квантово-размерных гетероструктур InGaAs различной размерности, выращенных на подложках GaAs: квантовые точки, квантовые ямы и структуры переходной размерности – квантовые яма-точки. Обнаружено, что время спада фотолюминесценции образцов при комнатной температуре существенно зависит от их квантовой размерности: 6, 7 и более 20 нс для квантовых точек, яма-точек и ямы соответственно. Мы полагаем, что наличие центров локализации носителей заряда может приводить к наблюдаемому сокращению времени фотолюминесценции в гетероструктурах.
Ключевые слова: фотолюминесценция, временное разрешение, квантово-размерные структуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10269
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 16-12-10269.
Поступила в редакцию: 22.05.2019
Исправленный вариант: 27.05.2019
Принята в печать: 30.05.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1489–1495
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110150
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Д. А. Санников, Т. Ф. Ягафаров, А. Е. Жуков, “Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1520–1526; Semiconductors, 53:11 (2019), 1489–1495
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NadMinKal19}
\by А.~М.~Надточий, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, М.~В.~Максимов, Д.~А.~Санников, Т.~Ф.~Ягафаров, А.~Е.~Жуков
\paper Фотолюминесценция с временным разрешением наноструктур InGaAs различной квантовой размерности
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1520--1526
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5358}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48448.9167}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300652}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1489--1495
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110150}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5358
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1520
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024