Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1425–1428 (Mi phts6350)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство

Ф. И. Зубовab, Н. В. Крыжановскаяab, Э. И. Моисеевa, Ю. С. Полубавкинаa, О. И. Симчукa, М. М. Кулагинаc, Ю. М. Задирановc, С. И. Трошковc, А. А. Липовскийab, М. В. Максимовabc, А. Е. Жуковab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (187 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Исследованы спектральные, пороговые и мощностные характеристики микродискового лазера диаметром 31 мкм с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации при комнатной температуре. Минимальное значение пороговой плотности тока составило 0.58 кА/см$^{2}$, допороговая ширина линий излучения мод шепчущей галереи составляет 50 пм при длине волны, лежащей в диапазоне 1.26–1.27 мкм. Полная излучаемая в свободное пространство мощность достигает в непрерывном режиме около 0.1 мВт, при этом мощность излучения мод шепчущей галереи составляет около 2.8%.
Поступила в редакцию: 18.04.2016
Принята в печать: 28.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1408–1411
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, Ю. С. Полубавкина, О. И. Симчук, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. А. Липовский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1425–1428; Semiconductors, 50:10 (2016), 1408–1411
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZubKryMoi16}
\by Ф.~И.~Зубов, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, Ю.~С.~Полубавкина, О.~И.~Симчук, М.~М.~Кулагина, Ю.~М.~Задиранов, С.~И.~Трошков, А.~А.~Липовский, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков
\paper Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1425--1428
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6350}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369024}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1408--1411
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6350
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1425
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025