Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 540–546
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44349.8414 (Mi phts6191) 		 
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна

Р. А. Хабибуллинa, Н. В. Щаврукa, А. Н. Клочковa, И. А. Глинскийa, Н. В. Зенченкоa, Д. С. Пономаревa, П. П. Мальцевa, А. А. Зайцевb, Ф. И. Зубовc, А. Е. Жуковcd, Г. Э. Цырлинcd, Ж. И. Алфёровcd

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники, г. Москва
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский научный центр РАН
PDF полного текста (1263 kB) Список цитирования (15)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44349.8414
Аннотация: Исследованы зависимости положения электронных уровней и силы осциллятора переходов от приложенного электрического поля для терагерцового квантово-каскадного лазера (ТГц ККЛ)с резонансно-фононным дизайном на основе каскада, состоящего их трех квантовых ям. Рассчитаны напряженности электрического поля для двух характерных состояний исследуемого терагерцового квантово-каскадного лазера: 1) протекание “паразитного” тока по структуре, когда порог генерации еще не достигнут; 2) порог генерации достигнут. Проведено моделирование процессов теплопереноса в исследуемых терагерцовых квантово-каскадных лазерах для определения оптимальных режимов питания и охлаждения. Подобраны режимы термокомпрессионного соединения гребневого полоска лазера с проводящей подложкой $n^{+}$-GaAs на основе Au–Au для создания механически более прочного контакта c большей теплопроводностью.
Поступила в редакцию: 26.09.2016
Принята в печать: 03.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 514–519
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261704008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Н. Клочков, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, А. А. Зайцев, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ж. И. Алфёров, “Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 540–546; Semiconductors, 51:4 (2017), 514–519
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaShcKlo17}
\by Р.~А.~Хабибуллин, Н.~В.~Щаврук, А.~Н.~Клочков, И.~А.~Глинский, Н.~В.~Зенченко, Д.~С.~Пономарев, П.~П.~Мальцев, А.~А.~Зайцев, Ф.~И.~Зубов, А.~Е.~Жуков, Г.~Э.~Цырлин, Ж.~И.~Алфёров
\paper Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 540--546
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6191}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44349.8414}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404898}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 514--519
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261704008X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6191
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p540
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024