Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 372–377
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44210.8394
(Mi phts6212)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

С. А. Минтаировabc, Н. А. Калюжныйacd, А. М. Надточийabc, М. В. Максимовacd, С. С. Рувимовe, А. Е. Жуковad

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e University of Notre Dame, USA
Аннотация: Показано, что осаждение In$_{x}$Ga$_{1-x}$As с концентрацией индия от 0.3 до 0.5 и средней толщиной от 3 до 27 монослоев на подложку GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии при пониженных температурах роста приводит к возникновению модуляций толщины и концентрации атомов индия в формирующихся слоях. В силу их свойств, полученные наноструктуры могут быть отнесены к промежуточному типу между идеальными квантовыми ямами и квантовыми точками. В зависимости от толщины и состава InGaAs, длина волны максимума линии фотолюминесценции гибридных наноструктур квантовая яма-точки меняется от 950 до 1100 нм. Определены оптимальные толщины и составы осажденного In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, обеспечивающие максимальную длину волны излучения при сохранении высокой квантовой эффективности.
Поступила в редакцию: 06.09.2016
Принята в печать: 12.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 357–362
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, С. С. Рувимов, А. Е. Жуков, “Оптические свойства гибридных наноструктур “квантовая яма–точки”, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 372–377; Semiconductors, 51:3 (2017), 357–362
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MinKalNad17}
\by С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, А.~М.~Надточий, М.~В.~Максимов, С.~С.~Рувимов, А.~Е.~Жуков
\paper Оптические свойства гибридных наноструктур ``квантовая яма--точки'', полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 372--377
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6212}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44210.8394}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006030}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 357--362
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6212
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p372
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024