Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 820–825
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51302.9669
(Mi phts4988)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек

А. Е. Жуковa, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевa, А. М. Надточийa, Ф. И. Зубовb, М. В. Фетисоваb, М. В. Максимовab, Н. Ю. Гордеевc

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: На основе анализа скоростных уравнений с помощью численного моделирования и аналитически исследовано насыщение усиления в оптическом усилителе на основе массива квантовых точек. Показано, что при умеренном уровне инжекции величина мощности насыщения растет пропорционально плотности тока, а в дальнейшем достигает своего наибольшего значения, ограниченного скоростью поступления носителей заряда на основное состояние и количеством квантовых точек, взаимодействующих с фотонами. Предложены выражения, позволяющие в явном виде описать зависимость мощности насыщения от тока и ее взаимосвязь с внутренними параметрами активной области.
Ключевые слова: полупроводниковый оптический усилитель, квантовые точки, скоростные уравнения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30010
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при поддержке проекта РНФ 19-72-30010. Компьютерные расчеты выполнены в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ.
Поступила в редакцию: 22.04.2021
Исправленный вариант: 28.04.2021
Принята в печать: 28.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Pages s67–s71
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090256
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ф. И. Зубов, М. В. Фетисова, М. В. Максимов, Н. Ю. Гордеев, “Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 820–825; Semiconductors, 55 (2021), s67–s71
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuKryMoi21}
\by А.~Е.~Жуков, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, А.~М.~Надточий, Ф.~И.~Зубов, М.~В.~Фетисова, М.~В.~Максимов, Н.~Ю.~Гордеев
\paper Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 820--825
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4988}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51302.9669}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491090}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\pages s67--s71
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090256}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4988
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p820
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:76
    PDF полного текста:21
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024