Влияние конструкции активной области и волновода на характеристики лазеров на основе структур квантовые ямы-точки InGaAs/GaAs

Исследованы торцевые лазеры с активной областью на основе нового типа наногетероструктур InGaAs/GaAs переходной размерности, именно структур квантовые яма-точки, занимающих по своим свойствам промежуточное положение между квантовыми ямами и квантовыми точками. Показано, что скорость коротковолнового сдвига линии лазерной генерации при уменьшении длины резонатора замедляется как с увеличением числа слоев в активной области, так и с возрастанием фактора оптического ограничения. В лазере с 10 слоями квантовых яма-точек линия лазерной генерации остается в пределах основного оптического перехода вплоть до самых малых длин резонатора (100 мкм). В приборах с одним слоем квантовых яма-точек и (или) малым фактором оптического ограничения при уменьшении длины резонатора до $\le$ 200 мкм происходит переключение лазерной генерации с основного состояния квантовых яма-точек непосредственно на состояния волновода, минуя возбужденные состояния. Данный эффект не наблюдался в лазерах на квантовых ямах и квантовых точках и может быть следствием аномально малой плотности возбужденных состояний в квантовых яма-точках.