Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями

Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см$^{2}$) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно – максимум распределения сдвинут к $p$-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны $n$-эмиттера, подавлять транспорт дырок.