Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 11, страницы 20–23
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47818.17778 (Mi pjtf5418) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур

М. В. Максимовa, Ю. М. Шерняковab, Ф. И. Зубовa, И. И. Новиковc, А. Г. Гладышевc, Л. Я. Карачинскийbd, Д. В. Денисовde, С. С. Рочасc, Е. С. Колодезныйc, А. Ю. Егоровc, А. Е. Жуковae

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (118 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47818.17778
Аннотация: Исследованы лазерные диоды InGaAs/InGaAlAs спектрального диапазона 1.55 $\mu$m. Показано, что легирование углеродом на уровне 10$^{12}$ cm$^{-2}$ в пересчете на одну квантовую яму позволяет в таких лазерных структурах снизить температурный коэффициент изменения длины волны генерации, а также повысить характеристическую температуру порогового тока и дифференциальной эффективности в диапазоне температур от 16 до $\sim$50$^\circ$C при одновременном увеличении пороговой плотности тока и снижении дифференциальной эффективности.
Ключевые слова: полупроводниковый лазер, квантовая яма, характеристическая температура, модулированное легирование.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0253
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ, ФЦП “Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014–2020 гг.”, соглашение о предоставлении субсидии от 26.09.2017 г. № 14.578.21.0253, уникальный идентификатор RFMEFI57817X0253.
Поступила в редакцию: 07.03.2019
Исправленный вариант: 07.03.2019
Принята в печать: 11.03.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 6, Pages 549–552
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019060129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Максимов, Ю. М. Шерняков, Ф. И. Зубов, И. И. Новиков, А. Г. Гладышев, Л. Я. Карачинский, Д. В. Денисов, С. С. Рочас, Е. С. Колодезный, А. Ю. Егоров, А. Е. Жуков, “Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 20–23; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 549–552
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakSheZub19}
\by М.~В.~Максимов, Ю.~М.~Шерняков, Ф.~И.~Зубов, И.~И.~Новиков, А.~Г.~Гладышев, Л.~Я.~Карачинский, Д.~В.~Денисов, С.~С.~Рочас, Е.~С.~Колодезный, А.~Ю.~Егоров, А.~Е.~Жуков
\paper Температурная зависимость характеристик полупроводниковых лазеров с узкими квантовыми ямами спектрального диапазона 1.55 $\mu$m на основе бесфосфорных гетероструктур
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 20--23
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5418}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47818.17778}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131033}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 6
\pages 549--552
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019060129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5418
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i11/p20
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:70
    PDF полного текста:34
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024