Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1395–1400 (Mi phts6345)  
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs

Р. А. Хабибуллинa, Н. В. Щаврукa, А. Ю. Павловa, Д. С. Пономаревa, К. Н. Томошa, Р. Р. Галиевa, П. П. Мальцевa, А. Е. Жуковbc, Г. Э. Цырлинcb, Ф. И. Зубовc, Ж. И. Алфёровbc

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
b Санкт-Петербургский научный центр РАН
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1225 kB) Список цитирования (20)
Аннотация: Исследованы процессы постростовой обработки многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs для терагерцового квантово-каскадного лазера (ККЛ), включающей в себя термокомпрессионное соединение In–Au многослойных гетероструктур с легированной подложкой $n^{+}$-GaAs, механическую шлифовку и селективное жидкостное травление подложки, сухое травление гребневых мезаполосков ККЛ через маску металлизации Ti/Au с шириной 50 и 100 мкм. Подобраны режимы реактивного ионного травления с источником индуктивно связанной плазмы в смеси газов BCl$_{3}$/Ar для получения вертикальных стенок гребневых мезаполосков ККЛ и минимального распыления маски Ti/Au.
Поступила в редакцию: 07.04.2016
Принята в печать: 12.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1377–1382
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400; Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaShcPav16}
\by Р.~А.~Хабибуллин, Н.~В.~Щаврук, А.~Ю.~Павлов, Д.~С.~Пономарев, К.~Н.~Томош, Р.~Р.~Галиев, П.~П.~Мальцев, А.~Е.~Жуков, Г.~Э.~Цырлин, Ф.~И.~Зубов, Ж.~И.~Алфёров
\paper Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1395--1400
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6345}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369019}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1377--1382
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6345
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1395
    • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:70
    PDF полного текста:48
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024