Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 3, страницы 55–61
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991 (Mi pjtf5896) 		 
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии

Р. Р. Резникabcd, Г. Э. Цырлинabcd, И. В. Штромab, А. И. Хребтовa, И. П. Сошниковabe, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевa, А. Е. Жуковa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (196 kB) Список цитирования (13)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991
Аннотация: Представлены результаты исследования роста нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111). Использование специальной методики подготовки подложек непосредственно перед ростом позволило получить практически 100% когерентных по отношению к подложке нитевидных нанокристаллов. Обнаружено интенсивное излучение от подобных наноструктур на длине волны $\sim$1.3 $\mu$m при комнатной температуре.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00393
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03113-офи
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9787.2017/8.9
16.9791.2017/8.9
Образцы были синтезированы за счет гранта Российского научного фонда (проект № 14-12-00393). Работа выполнена при частичной поддержке грантов РФФИ 16-29-03113-офи и РФФИ 16-29-03037-офи, а также Министерства образования и науки РФ (проекты 3.9787.2017/8.9 и 16.9791.2017/8.9).
Поступила в редакцию: 28.07.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 2, Pages 112–114
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018020116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Р. Резник, Г. Э. Цырлин, И. В. Штром, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:3 (2018), 55–61; Tech. Phys. Lett., 44:2 (2018), 112–114
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezCirSht18}
\by Р.~Р.~Резник, Г.~Э.~Цырлин, И.~В.~Штром, А.~И.~Хребтов, И.~П.~Сошников, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, А.~Е.~Жуков
\paper Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 3
\pages 55--61
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5896}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.03.45579.16991}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740197}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 2
\pages 112--114
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018020116}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5896
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i3/p55
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024