Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20–300 K

Детально исследована температурная эволюция спектров фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ в зависимости от энергии детектирования в диапазоне 20–300 K в структурах с массивами квантовых точек (КТ) InAs/InGaAs/GaAs. Детальный анализ спектров возбуждения ФЛ позволил идентифицировать пики, соответствующие возбужденным состояниям КТ, вероятность перехода с которых на основное состояние велика в отличие от пиков, вероятность перехода с которых на основное состояние мала, но значительно увеличивается за счет эффективной релаксации носителей с участием LO-фононов. Обнаружено, что характерная для КТ зависимость разности энергий спектрального положения пиков, соответствующих основному и возбужденному состояниям, от энергии основного состояния (т. е. от размера КТ) нарушается при повышении температуры до 140–160 K, при которой происходит активация транспорта носителей заряда между КТ.