|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки
С. А. Минтаировab, И. М. Гаджиевb, Н. А. Калюжныйb, М. В. Максимовac, А. М. Надточийac, М. В. Нахимовичb, Р. А. Салийb, М. З. Шварцb, А. Е. Жуковc a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
Аннотация:
Исследованы быстродействующие фотодетекторы на основе InGaAs/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки (КЯТ) с фронтальным и торцевым вводом излучения. Фотодетектор с 40 рядами КЯТ продемонстрировал спектральную чувствительность до 0.4 A/W в диапазоне 900–1100 nm при смещении -5 V. Постоянная времени спада импульсного отклика фотодетектора площадью 1.4 $\cdot$ 10$^{-4}$ cm$^{2}$ составила $\sim$250 ps.
Ключевые слова:
фотодетектор, быстродействие, спектральная чувствительность, наноструктуры, емкость.
Поступила в редакцию: 28.07.2020 Исправленный вариант: 08.09.2020 Принята в печать: 08.09.2020
Образец цитирования:
С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 11–14; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4905 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i24/p11
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 66 | PDF полного текста: | 39 |
|