Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1380–1386 (Mi phts6343)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний

Л. В. Асрянa, Ф. И. Зубовbc, Н. В. Крыжановскаяbc, М. В. Максимовcb, А. Е. Жуковbc

a Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Рассчитаны мощностные характеристики нового вида инжекционных лазеров – лазеров на квантовой яме (КЯ) с асимметричными барьерными слоями (АБС). Использована обобщенная модель, учитывающая асимметрию заполнения электронных и дырочных состояний. Показано, что электронно-дырочная асимметрия не влияет существенным образом на характеристики АБС лазеров – даже в присутствии промежуточных слоев (располагающихся между КЯ и каждой из двух АБС), в которых имеет место паразитная электронно-дырочная рекомбинация, внутренняя дифференциальная квантовая эффективность АБС лазера на КЯ слабо зависит от тока накачки и остается близкой к единице, а следовательно, ватт-амперная характеристика остается линейной при высоких уровнях накачки.
Поступила в редакцию: 29.02.2016
Принята в печать: 04.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1362–1368
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616100055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1380–1386; Semiconductors, 50:10 (2016), 1362–1368
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AsrZubKry16}
\by Л.~В.~Асрян, Ф.~И.~Зубов, Н.~В.~Крыжановская, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков
\paper Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1380--1386
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6343}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369017}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1362--1368
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616100055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6343
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1380
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024