Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 10, страницы 1382–1386
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45017.8590 (Mi phts6022) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP

Ф. И. Зубовa, Е. С. Семеноваb, И. В. Кульковаb, K. Yvindb, Н. В. Крыжановскаяa, М. В. Максимовa, А. Е. Жуковa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b DTU Fotonics Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, DK-2800 Denmark
PDF полного текста (334 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45017.8590
Аннотация: Представлены результаты исследования синтезированных на подложке InP (100) лазеров с длиной волны излучения около 1.5 мкм, характеризующихся высокой температурной стабильностью. В качестве активной области лазера были использованы самоорганизованные квантовые точки InAs, покрытые тонким слоем GaAs. Волноводным/матричным слоем являлся четверной твердый раствор InGaAsP с шириной запрещенной зоны 1.15 эВ. Высокая характеристическая температура порогового тока $T_{0}$ = 205 K в температурном диапазоне 20–50$^\circ$C была достигнута в лазерных диодах с гребешковым волноводом. Была обнаружена взаимосвязь между значениями $T_{0}$ и шириной запрещенной зоны волноводных слоев.
Поступила в редакцию: 27.03.2017
Принята в печать: 05.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 10, Pages 1332–1336
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617100207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. И. Зубов, Е. С. Семенова, И. В. Кулькова, K. Yvind, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1382–1386; Semiconductors, 51:10 (2017), 1332–1336
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZubSemKul17}
\by Ф.~И.~Зубов, Е.~С.~Семенова, И.~В.~Кулькова, K.~Yvind, Н.~В.~Крыжановская, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков
\paper Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1382--1386
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6022}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45017.8590}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30291328}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 10
\pages 1332--1336
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617100207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6022
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1382
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024