|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs
А. М. Надточийabc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, С. С. Рувимовd, В. Н. Неведомскийc, М. В. Максимовabc, А. Е. Жуковab a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA
Аннотация:
При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур “квантовая яма–квантовые точки”, представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs.
Поступила в редакцию: 11.05.2017 Принята в печать: 22.05.2017
Образец цитирования:
А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. С. Рувимов, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 57–62; Semiconductors, 52:1 (2018), 55–58
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5941 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p57
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 61 | PDF полного текста: | 15 |
|