Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 1, страницы 57–62
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45319.8636
(Mi phts5941)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs

А. М. Надточийabc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, С. С. Рувимовd, В. Н. Неведомскийc, М. В. Максимовabc, А. Е. Жуковab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA
Аннотация: При помощи спектроскопии фотолюминесценции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы гибридные квантово-размерные структуры, полученные осаждением слоев In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As различной номинальной толщины на вицинальные подложки GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Спектры фотолюминесценции таких структур представляют собой суперпозицию двух линий, что свидетельствует о бимодальном распределении размеров и (или) формы излучающих объектов. Доминирующая линия связана с излучением гибридных наноструктур “квантовая яма–квантовые точки”, представляющих собой плотный массив квантовых точек относительно небольшого размера с малой энергией локализации электронов и дырок. Вторая, менее интенсивная, линия связана с излучением массива квантовых точек малой плотности и большего размера. Проведенный анализ относительной интенсивности спектральных линий при различных температурах показывает, что плотность квантовых точек большего размера возрастает при увеличении толщины осажденного слоя InGaAs.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10269
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, проект № 16-12-10269.
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 1, Pages 55–58
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618010153
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. С. Рувимов, В. Н. Неведомский, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 57–62; Semiconductors, 52:1 (2018), 55–58
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NadMinKal18}
\by А.~М.~Надточий, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, С.~С.~Рувимов, В.~Н.~Неведомский, М.~В.~Максимов, А.~Е.~Жуков
\paper Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As, выращенных на подложках GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 57--62
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5941}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.01.45319.8636}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982786}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 1
\pages 55--58
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618010153}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5941
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i1/p57
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024