Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 16, страницы 3–6
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.16.49844.18354 (Mi pjtf5013) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs

А. Е. Жуковa, Э. И. Моисеевa, А. М. Надточийa, А. С. Драгуноваa, Н. В. Крыжановскаяa, М. М. Кулагинаb, А. М. Можаровc, С. А. Кадинскаяc, О. И. Симчукc, Ф. И. Зубовc, М. В. Максимовc

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (649 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.16.49844.18354
Аннотация: Микродисковые лазеры AlGaAs/GaAs с квантовыми точками InAs/InGaAs были перенесены на поверхность кремниевой пластины с помощью индиевого припоя. Микролазеры имеют общий электрический контакт, нанесенный поверх остаточной подложки $n^{+}$-GaAs, а индивидуальная адресация достигается за счет размещения микродисков $p$-контактом вниз на раздельные контактные площадки на кремнии. Не выявлено влияния чужеродной подложки на электрические, пороговые, тепловые и спектральные характеристики. Микродиски способны работать в непрерывном режиме без принудительного охлаждения с пороговой плотностью тока около 0.7 kA/cm$^{2}$. Длина волны генерации стабильна ($<$ 0.1 nm/mA) по отношению к току инжекции.
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, микродисковый лазер, наноструктуры, гибридная интеграция.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30010
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (соглашение 19-72-30010). Оптические исследования осуществлены в рамках Программы фундаментальных исследований НИУ ВШЭ в 2020 г.
Поступила в редакцию: 24.04.2020
Исправленный вариант: 06.05.2020
Принята в печать: 06.05.2020
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 8, Pages 783–786
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020080295
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, А. С. Драгунова, Н. В. Крыжановская, М. М. Кулагина, А. М. Можаров, С. А. Кадинская, О. И. Симчук, Ф. И. Зубов, М. В. Максимов, “Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 3–6; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 783–786
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuMoiNad20}
\by А.~Е.~Жуков, Э.~И.~Моисеев, А.~М.~Надточий, А.~С.~Драгунова, Н.~В.~Крыжановская, М.~М.~Кулагина, А.~М.~Можаров, С.~А.~Кадинская, О.~И.~Симчук, Ф.~И.~Зубов, М.~В.~Максимов
\paper Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 16
\pages 3--6
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5013}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.16.49844.18354}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041075}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 8
\pages 783--786
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020080295}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5013
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i16/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024