Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 276–280
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44118.8375 (Mi phts6246) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$

Н. В. Крыжановскаяabc, Ю. С. Полубавкинаa, В. Н. Неведомскийc, Е. В. Никитинаa, А. А. Лазаренкоa, А. Ю. Егоровd, М. В. Максимовabc, Э. И. Моисеевa, А. Е. Жуковab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (1010 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44118.8375
Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4$^\circ$. Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более $\sim$2 $\cdot$ 10$^{8}$ см$^{-2}$. Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне $\sim$630–640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения.
Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 01.08.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 267–271
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020087
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Крыжановская, Ю. С. Полубавкина, В. Н. Неведомский, Е. В. Никитина, А. А. Лазаренко, А. Ю. Егоров, М. В. Максимов, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, “Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 276–280; Semiconductors, 51:2 (2017), 267–271
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KryPolNev17}
\by Н.~В.~Крыжановская, Ю.~С.~Полубавкина, В.~Н.~Неведомский, Е.~В.~Никитина, А.~А.~Лазаренко, А.~Ю.~Егоров, М.~В.~Максимов, Э.~И.~Моисеев, А.~Е.~Жуков
\paper Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 276--280
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6246}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44118.8375}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006011}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 267--271
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020087}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6246
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p276
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024