Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями

В лазере с асимметричными барьерными слоями два тонких асимметричных барьерных слоя, прилегающих к активной области по обе стороны, направлены на предотвращение биполярной заселенности волноводных слоев и соответственно подавление паразитной рекомбинации в них. В работе предложена теоретическая модель лазера с асимметричными барьерными слоями, основанная на скоростных уравнениях, и учитывающая нежелательную утечку носителей заряда, которая неизбежно происходит в лазерах такого типа, реализуемых на практике. Получены решения уравнений для стационарного случая. На примере лазера на квантовой яме InGaAs/GaAs (длина волны лазерного излучения $\lambda$ = 980 нм) исследовано влияние утечек сквозь асимметричные барьерные слои на приборные характеристики. Оценены степени подавления паразитных потоков за счет асимметричных барьерных слоев, необходимые для устранения негативного влияния волноводной рекомбинации. Для рассматриваемого случая эффект от асимметричных барьерных слоев становится заметен при степенях подавления паразитных потоков C $\ge$ 10$^{2}$. Для подавления 90% паразитного тока требуется C $\approx$ 2 $\cdot$ 10$^{4}$. В работе также исследовано воздействие асимметричных барьерных слоев на полезные потоки носителей, поступающих в активную область.