Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 5, страницы 674–678 (Mi phts6471)  
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона

А. Е. Жуковab, Г. Э. Цырлинbca, Р. Р. Резникda, Ю. Б. Самсоненкоca, А. И. Хребтовa, М. А. Калитеевскийea, К. А. Ивановea, Н. В. Крыжановскаяa, М. В. Максимовa, Ж. И. Алфёровab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский научный центр РАН
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (303 kB) Список цитирования (9)
Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и оптических свойств гетероструктур GaAs/AlGaAs, содержащих 228 каскадов, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, а также результаты моделирования межзонных оптических переходов и переходов между уровнями каскада.
Поступила в редакцию: 27.10.2015
Принята в печать: 02.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 5, Pages 662–666
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616050262
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Р. Р. Резник, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, М. А. Калитеевский, К. А. Иванов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Ж. И. Алфёров, “Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 674–678; Semiconductors, 50:5 (2016), 662–666
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuCirRez16}
\by А.~Е.~Жуков, Г.~Э.~Цырлин, Р.~Р.~Резник, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, М.~А.~Калитеевский, К.~А.~Иванов, Н.~В.~Крыжановская, М.~В.~Максимов, Ж.~И.~Алфёров
\paper Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 674--678
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6471}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368893}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 5
\pages 662--666
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616050262}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6471
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i5/p674
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024