Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 570–574
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49387.9354 (Mi phts5223) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Предельная температура генерации микродисковых лазеров

А. Е. Жуковa, Н. В. Крыжановскаяa, Э. И. Моисеевb, М. М. Кулагинаc, С. А. Минтаировc, Н. А. Калюжныйc, А. М. Надточийb, М. В. Максимовb

a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал)
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1057 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49387.9354
Аннотация: Развита модель, которая позволяет в аналитическом виде определить пороговый ток микродискового лазера с учетом саморазогрева в зависимости от температуры окружающей среды и диаметра микролазера. Показано, что существует обусловленный саморазогревом минимальный диаметр микродиска, вплоть до которого возможно достижение лазерной генерации в непрерывном режиме при заданной температуре. Другим проявлением саморазогрева является существование предельной рабочей температуры, тем меньшей, чем меньше диаметр микролазера. Показано хорошее совпадение предсказаний модели с имеющимися экспериментальными данными.
Ключевые слова: микрорезонатор, микролазер, саморазогрев, тепловое сопротивление.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-30010
Работа выполнена при поддержке проекта Российского научного фонда 19-72-30010.
Поступила в редакцию: 23.01.2020
Исправленный вариант: 31.01.2020
Принята в печать: 31.01.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 6, Pages 677–681
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620060172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, Э. И. Моисеев, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, “Предельная температура генерации микродисковых лазеров”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 570–574; Semiconductors, 54:6 (2020), 677–681
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuKryMoi20}
\by А.~Е.~Жуков, Н.~В.~Крыжановская, Э.~И.~Моисеев, М.~М.~Кулагина, С.~А.~Минтаиров, Н.~А.~Калюжный, А.~М.~Надточий, М.~В.~Максимов
\paper Предельная температура генерации микродисковых лазеров
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 570--574
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5223}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49387.9354}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800483}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 677--681
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620060172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5223
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i6/p570
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:77
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024