|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710 ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
2. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 16–18 |
|
2020 |
3. |
Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1726–1730 ; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 |
1
|
4. |
Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 462–471 ; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 |
5
|
5. |
Е. А. Панютин, Ш. Ш. Шарофидинов, Т. А. Орлова, С. А. Сныткина, А. А. Лебедев, “Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники”, ЖТФ, 90:3 (2020), 450–455 ; E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 |
4
|
6. |
А. А. Лебедев, А. В. Кириллов, Л. П. Романов, А. В. Зубов, А. М. Стрельчук, “Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов”, ЖТФ, 90:2 (2020), 264–267 ; A. A. Lebedev, A. V. Kirillov, L. P. Romanov, A. V. Zubov, A. M. Strel'chuk, “Development of the processing technique and study of microwave switches based on 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$ diodes”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253 |
7. |
I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1388 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677 |
8. |
А. М. Стрельчук, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1364–1367 ; A. M. Strel'chuk, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Characteristics of Schottky rectifier diodes based on silicon carbide at elevated temperatures”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1624–1627 |
9. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, А. В. Зубов, П. В. Булат, “Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 19–21 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, A. V. Zubov, P. V. Bulat, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene-like nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1174–1176 |
1
|
10. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, И. А. Мустафин, А. В. Зубов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, В. Н. Трухин, “Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 29–32 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, I. A. Mustafin, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, V. N. Trukhin, “Terahertz near-field response in graphene ribbons”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 756–759 |
2
|
11. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, А. В. Зубов, “Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 7–9 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, A. V. Zubov, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 733–736 |
4
|
12. |
А. С. Усиков, С. П. Лебедев, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. В. Новиков, М. В. Пузык, А. В. Зубов, Ю. Н. Макаров, А. А. Лебедев, “Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 3–6 ; A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 |
4
|
13. |
В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 35–37 ; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 |
6
|
|
2019 |
14. |
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1978–1984 ; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron diffraction study of epitaxial graphene formed by thermal destruction of SiC(0001) in an Ar environment and in high vacuum”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1940–1946 |
3
|
15. |
Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019), 1374–1384 ; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 |
10
|
16. |
С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1940–1946 ; S. P. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, P. A. Dementev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849 |
2
|
17. |
А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1604–1608 ; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 |
5
|
18. |
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1448–1452 ; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 |
1
|
19. |
O. M. Корольков, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Н. Слепчук, J. Toompuu, T. Rang, “Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 991–994 ; O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 |
4
|
20. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, А. А. Лебедев, “Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019), 21–23 ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Coulomb electron interaction between an adsorbate and substrate: a model of a surface dimer”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 924–926 |
2
|
21. |
А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 28–30 ; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 |
3
|
22. |
С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, А. А. Лебедев, “Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019), 40–42 ; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “A model of a surface dimer in the problem of adsorption”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 461–463 |
5
|
23. |
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848 ; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794 |
14
|
|
2018 |
24. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2474–2477 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effect in monolayer graphene associated with the formation of graphene–water interface”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2668–2671 |
1
|
25. |
М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, В. Ю. Давыдов, И. А. Ермаков, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, А. Н. Смирнов, Д. А. Смирнов, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1423–1430 ; M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 |
12
|
26. |
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1403–1408 ; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron-diffraction study of the structure of epitaxial graphene grown by the method of thermal destruction of 6$H$- and 4$H$-SiC (0001) in vacuum”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1419–1424 |
1
|
27. |
S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018), 95–97 |
2
|
28. |
А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1651–1655 ; A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 |
5
|
29. |
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова, “Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1532–1534 ; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637 |
30. |
Н. В. Агринская, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, М. А. Шахов, E. Lahderanta, “Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1512–1517 ; N. V. Agrinskaya, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, M. A. Shakhov, E. Lahderanta, “Transition between electron localization and antilocalization and manifestation of the Berry phase in graphene on a SiC surface”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1616–1620 |
31. |
П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511 ; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 |
3
|
32. |
Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320 ; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 |
2
|
33. |
В. В. Козловский, А. Э. Васильев, П. А. Карасев, А. А. Лебедев, “Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 327–332 ; V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 |
4
|
34. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. В. Любимова, “Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 90–95 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. V. Lubimova, “The role of the charge state of surface atoms of a metal substrate in doping of quasi-free-standing graphene”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1089–1091 |
35. |
П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018), 34–40 ; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 |
10
|
|
2017 |
36. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия”, Физика твердого тела, 59:10 (2017), 2063–2065 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide”, Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2089–2091 |
1
|
37. |
В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1116–1124 ; V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 |
48
|
38. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
39. |
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, А. Э. Васильев, Л. Ф. Макаренко, “Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 311–316 ; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 |
3
|
40. |
А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, А. Н. Якименко, А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, “Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017), 63–67 ; A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 |
6
|
41. |
С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017), 64–72 ; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 |
6
|
|
2016 |
42. |
А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью”, Физика твердого тела, 58:7 (2016), 1432–1435 ; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 |
2
|
43. |
А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. Н. Новиков, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. С. Левицкий, “Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена”, ЖТФ, 86:3 (2016), 135–139 ; A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 |
16
|
44. |
A. A. Lebedev, “Growth, study, and device application prospects of graphene on SiC substrates”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016), 30–36 |
3
|
45. |
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 967–972 ; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6$H$-SiC (000$\bar1$) in vacuum”, Semiconductors, 50:7 (2016), 951–956 |
46. |
С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 66–71 ; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Development of a spinodal decomposition model for the example of a heterostructure based on silicon carbide polytypes”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1153–1155 |
47. |
А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, С. Н. Новиков, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. Б. Климович, М. П. Самойлович, “Биосенсоры на основе графена”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 28–35 ; A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, S. N. Novikov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. B. Klimovich, M. P. Samoilovich, “Graphene-based biosensors”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 729–732 |
15
|
|
2011 |
48. |
А. А. Белевцев, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, А. А. Лебедев, С. В. Подлесных, К. Н. Фирсов, “К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 703–708 [A. A. Belevtsev, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, A. A. Lebedev, S. V. Podlesnykh, K. N. Firsov, “On stability of self-sustained volume discharge in working mixtures of non-chain electrochemical HF laser”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 703–708 ] |
8
|
|
1992 |
49. |
А. Н. Старухин, А. А. Лебедев, Б. С. Разбирин, Л. М. Капитонова, “Скрытая анизотропия излучательных переходов в пористом кремнии”, Письма в ЖТФ, 18:16 (1992), 60–63 |
50. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, Ю. Н. Далуда, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса
полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 18:14 (1992), 51–56 |
|
1991 |
51. |
К. П. Абдурахманов, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, Ш. А. Юсупова, “Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном
легировании кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1075–1078 |
52. |
Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных
слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 898–903 |
53. |
М. М. Аникин, А. С. Зубрилов, А. А. Лебедев, А. П. Стрельчук, А. Е. Черенков, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах
и влияние на них глубоких центров”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 479–486 |
54. |
М. М. Аникин, А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, С. Н. Пятко, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 328–333 |
|
1990 |
55. |
М. М. Аникин, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1384–1390 |
56. |
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 549–552 |
57. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, И. Н. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 1–4 |
|
1989 |
58. |
А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, X. С. Далиев, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2227–2229 |
59. |
Р. Ф. Витман, Н. А. Витовский, А. А. Лебедев, Т. В. Машовец, Л. В. Налбандян, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989), 2066–2069 |
60. |
Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов, “Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 919–921 |
61. |
А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах
в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 897–899 |
|
1988 |
62. |
Н. Т. Баграев, А. А. Лебедев, В. А. Машков, И. С. Половцев, “Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке”, Физика твердого тела, 30:7 (1988), 2076–2084 |
63. |
Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, А. А. Ситникова, Ш. Б. Утамурадова, “Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс
углерода и марганца”, ЖТФ, 58:11 (1988), 2272–2274 |
64. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных
$p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 298–300 |
65. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким
$p{-}n$-переходом”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 133–136 |
66. |
А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, “Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни
платины в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 16–19 |
67. |
Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя
выше 20 кВ”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 972–975 |
68. |
В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, М. И. Шульга, “Доминирующие рекомбинационные центры в слоях
$n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 181–185 |
|
1987 |
69. |
Ю. Ф. Шульпяков, Р. Ф. Витман, Л. С. Власенко, А. Н. Дремин, А. А. Лебедев, В. Н. Ломасов, Т. Г. Уткина, “Свойства монокристллов кремния после их деформации при высоком давлении”, Физика твердого тела, 29:5 (1987), 1486–1491 |
70. |
А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов, Э. А. Джафарова, “Сечения фотоионизации уровней никеля в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2237–2239 |
71. |
А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, “Метод повышения разрешающей способности нестационарной емкостной
спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2228–2229 |
72. |
А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, “Пьезоемкостная спектроскопия радиационных дефектов в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2149–2151 |
73. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов
в диэлектрике и на поверхности полупроводника
кремниевых МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 836–841 |
74. |
А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную
спектроскопию глубоких уровней в Si$\langle$Zn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 321–324 |
75. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур,
облученных $\gamma$-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 23–29 |
76. |
А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на спектр глубоких уровней
в кремнии, легированном цинком”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987), 18–22 |
77. |
Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов, В. А. Xрамцов, “Новые парамагнитные центры в кремнии, легированном никелем”, Письма в ЖТФ, 13:21 (1987), 1322–1326 |
|
1986 |
78. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального
$4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2169–2172 |
79. |
Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2122–2125 |
80. |
А. А. Лебедев, В. Экке, “Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из
измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1806–1810 |
81. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе
эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1654–1657 |
82. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур
на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 844–848 |
83. |
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
при фототермической эмиссии носителей тока”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 683–686 |
84. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Д. Э. Назиров, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 185–186 |
|
1985 |
85. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, “Распад твердого раствора золота в кремнии
II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2162–2169 |
86. |
Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, “Распад твердого раствора золота в кремнии
I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2149–2161 |
87. |
А. А. Лебедев, В. Экке, “Влияние коррелированного неоднородного распределения поверхностных
рекомбинационных центров и зарядов в окисле
на генерацию неосновных
носителей тока при емкостной спектроскопии в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1971–1975 |
88. |
А. А. Лебедев, В. Экке, В. С. Юферев, “Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную
спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1791–1795 |
89. |
Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, Б. М. Урунбаев, “Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1709–1711 |
90. |
К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства
$n$-Si$\langle$Mn$\rangle$
с помощью DLTS”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1617–1619 |
91. |
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, “Влияние последовательного сопротивления диода
на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1382–1385 |
92. |
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной
концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1375–1381 |
93. |
Е. В. Астрова, В. М. Гонтарь, А. А. Лебедев, “Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985), 1273–1276 |
94. |
Ю. Ф. Шульпяков, А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации
уровней Мn в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1159–1161 |
95. |
К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Взаимодействие кислорода с марганцем в
$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1158–1159 |
96. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных
слоях Si$-$SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1156–1158 |
97. |
А. А. Лебедев, В. Экке, “Исследование плотности глубоких центров в катодно-распыленных пленках
SiO$_{x}$ в зависимости от степени окисления кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1087–1091 |
98. |
Ю. Ф. Шулышков, Р. Ф. Витман, А. А. Лебедев, А. Н. Дремин, “Влияние пластической деформации на состояние кислорода и углерода
в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 982–986 |
99. |
Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно, “Фотопроводимость кремния, легированного селеном”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 919–922 |
100. |
Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней
(ГУ) в $n$-Si(Cr)”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 917–919 |
101. |
А. А. Лебедев, В. Экке, “Емкостная спектроскопия радиационных дефектов, образующихся
в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ при катодном напылении”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 831–835 |
102. |
Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно, “Энергетические уровни селена в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 597–600 |
103. |
К. П. Абдурахманов, Б. А. Котов, Й. Крейсль, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 349–350 |
104. |
Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Параметры глубоких уровней в Si$\langle$V$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 338–340 |
105. |
К. П. Абдурахманов, А. А. Лебедев, Й. Крейсль, Ш. Б. Утамурадова, “Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 213–216 |
106. |
Л. М. Капитонова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, “Фотопроводимость кремния с примесью хрома”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 162–164 |
107. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 114–117 |
|
1984 |
108. |
Ю. Ф. Шульпяков, Р. Ф. Витман, А. А. Лебедев, А. Н. Дремин, “Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода
в кремнии при термообработке”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1306–1307 |
109. |
М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. Е. Севастьянов, А. Л. Сыркин, А. Л. Суворов, В. Е. Челноков, Г. П. Шпынев, “Выпрямительный диод на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984), 1053–1056 |
110. |
Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, “Факторы, способствующие образованию второй фазы в бестигельном
кремнии”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 837–840 |
|
1983 |
111. |
А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после
диффузии серы”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2152–2155 |
112. |
В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, В. М. Рожков, “Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном
$p{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1344–1347 |
|
|
|
2020 |
113. |
S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1383 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 |
|