Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью

Оптимизирован рост графена путем термического разложения карбида кремния при температуре $\sim$1400$^\circ$C в условиях вакуума $\sim$10$^{-6}$ Torr. С использованием рамановской спектроскопии проведена оценка средней толщины полученного графена (2–4 монослоя) и продемонстрировано наличие высококачественных участков графена в исследуемых образцах. Установлено, что четырехконтактное сопротивление графена возрастает в области его интерфейса с водой примерно на 25%. Для интерфейса графена с водой в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене.