Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1383 (Mi phts6682)  
NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Graphene

Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate

S. P. Lebedeva, I. A. Eliseyeva, V. N. Panteleeva, P. A. Dementeva, V. V. Shnitova, M. K. Rabchinskiia, D. A. Smirnovb, A. V. Zubovc, A. A. Lebedevad

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
b Institut für Festkorper und Materialphysik, Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
c St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics, and Optics (ITMO University), 197101 St. Petersburg, Russia
d St. Petersburg State Electrotechnical University LETI, 197376 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (29 kB)
Аннотация: The structural and some other characteristics of quasi-freestanding single-layer graphene obtained by annealing of the buffer layer in the flow of hydrogen are studied in comparison with those of conventional epitaxial graphene. The high structural quality and good lateral uniformity of the thus-obtained graphene film are checked and confirmed by the use of such techniques as Raman spectroscopy, atomic force, and Kelvin probe force microscopies. The confirmation of its single-layer and freestanding character is obtained via the analysis of respective data of $X$-ray photoelectron spectroscopy.
Ключевые слова: silicon carbide, graphene, KPFM, Raman spectroscopy, XPS.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00498
The authors thank Helmholtz-Zentrum Berlin for the allocation of synchrotron radiation beamtime and the German-Russian Laboratory at BESSY II for the support of our XPS measurements. S.P. Lebedev and I.A. Eliseyev acknowledge the support from RFBR (project 18-02-00498).
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1657–1660
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120179
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1383; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebEliPan20}
\by S.~P.~Lebedev, I.~A.~Eliseyev, V.~N.~Panteleev, P.~A.~Dementev, V.~V.~Shnitov, M.~K.~Rabchinskii, D.~A.~Smirnov, A.~V.~Zubov, A.~A.~Lebedev
\paper Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1383
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6682}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1657--1660
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120179}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6682
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1383
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024