|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика поверхности, тонкие пленки
Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме
И. С. Котоусоваa, С. П. Лебедевa, А. А. Лебедевab, П. В. Булатb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено исследование структуры графеновых слоев, образованных на поверхности Si-грани проводящих и полуизолирующих подложек карбида кремния 6$H$- и 4$H$-SiC(0001) путем термодесорбции атомов Si в высоком вакууме, в зависимости от температуры и времени сублимации атомов Si и способа предобработки поверхности подложек. Регистрация дифракционных картин осуществлялась в кристаллографических направлениях подложек [$\bar1$2$\bar1$0] и [1$\bar1$00]. Установлено, что во всех проведенных экспериментах образование графеновых слоев происходит с разворотом кристаллической решетки графена на 30$^\circ$ относительно решетки SiC.
Поступила в редакцию: 22.01.2018
Образец цитирования:
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1403–1408; Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1419–1424
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9143 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i7/p1403
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 11 |
|