|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий
А. М. Стрельчукa, В. В. Козловскийb, А. А. Лебедевa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Представлено исследование радиационной стойкости трех типов коммерческих выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния (4$H$-SiC, уровень легирования базового слоя (3–7) $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-3}$ ) при электронном облучении (с энергиями электронов 0.9 или 3.5 МэВ), а также при протонном облучении (с энергией протонов 15 МэВ). Контролировались прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов. В исходном состоянии диоды характеризовались напряжением пробоя 1–2 кВ и практически идеальной прямой вольт-амперной характеристикой. Установлено, что наиболее чувствительным к облучению и определяющим радиационную стойкость параметром является последовательное сопротивление диодов, растущее почти на 10 порядков и достигающее 10$^{9}$ Ом при больших дозах. Пороговые дозы при облучении электронами лежат в пределах $D_{\mathrm{th}}\approx(0.5-2)\cdot10^{16}$ cм$^{-2}$ и зависят от энергии электронов и уровня легирования базового слоя, а при облучении протонами $D_{\mathrm{th}}\approx5\cdot10^{13}$ cм$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 04.07.2018 Принята в печать: 09.07.2018
Образец цитирования:
А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1651–1655; Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5644 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1651
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 14 |
|