Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2011, том 41, номер 8, страницы 703–708 (Mi qe14583)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Управление параметрами лазерного излучения

К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера

А. А. Белевцевa, С. Ю. Казанцевb, И. Г. Кононовb, А. А. Лебедевb, С. В. Подлесныхb, К. Н. Фирсовb

a Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследованы зависимости напряжения горения объёмного самостоятельного разряда (ОСР) от удельного энерговклада в смесях SF6 c C2H6 и H2, являющихся рабочими средами нецепного электрохимического HF-лазера. Установлено, что напряжение линейно увеличивается с ростом удельного энерговклада, причем относительное увеличение напряжения в смесях SF6–C2H6 заметно выше, чем в чистом SF6 и в смесях SF6–H2. Выдвинуто и обосновано предположение об определяющей роли процесса диссоциации молекул электронным ударом в наблюдаемом росте напряжения. По экспериментальным зависимостям найдены приближённые значения энергетической цены образования фрагментов диссоциации, в том числе и атома фтора при разряде в чистом SF6:Ed(F)=5±1 эВ. Величины Ed(F) хорошо согласуются с известными из литературы данными, полученными другими экспериментальными методами. Сделан вывод о том, что процесс диссоциации является основным механизмом ограничения плотности тока, позволяющим реализовать ОСР без предварительной ионизации газа в рабочих средах нецепного HF-лазера и определяющим более высокую устойчивость объёмного разряда в смесях SF6 c углеводородами (угледейтеридами) по сравнению со смесями с водородом (дейтерием). Предложена и обоснована методика численной оценки эффекта ограничения плотности тока и его влияния на устойчивость ОСР.
Поступила в редакцию: 10.03.2011
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2011, Volume 41, Issue 8, Pages 703–708
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2011v041n08ABEH014583
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Ks, 52.80.-s


Образец цитирования: А. А. Белевцев, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, А. А. Лебедев, С. В. Подлесных, К. Н. Фирсов, “К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера”, Квантовая электроника, 41:8 (2011), 703–708 [Quantum Electron., 41:8 (2011), 703–708]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe14583
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v41/i8/p703
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    1. Yang N. Li G. Zhao Y. Zhang J. Wen X., Plasma Sci. Technol., 22:3 (2020), 034015  crossref  isi  scopus
    2. Belevtsev A.A. Firsov K.N. Kazantsev S.Yu. Kononov I.G. Podlesnykh S.V., J. Phys. D-Appl. Phys., 51:38 (2018), 384003  crossref  isi  scopus
    3. П. А. Евдокимов, Д. В. Соколов, Квантовая электроника, 45:11 (2015), 1003–1009  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:11 (2015), 1003–1009  crossref  isi
    4. С. Д. Великанов, А. П. Домажиров, Н. А. Зарецкий, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, А. А. Кромин, С. В. Подлесных, А. А. Сивачев, К. Н. Фирсов, С. В. Харитонов, В. С. Цыкин, В. В. Щуров, И. М. Юткин, Квантовая электроника, 45:11 (2015), 989–992  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:11 (2015), 989–992  crossref  isi
    5. Belevtsev A.A. Firsov K.N. Kazantsev S.Yu. Kononov I.G. Podlesnykh S.V., J. Phys. D-Appl. Phys., 48:46 (2015), 465202  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. Belevtsev A.A. Firsov K.N. Kazantsev S.Yu. Kononov I.G. Podlesnykh S.V., International Conference on Atomic and Molecular Pulsed Lasers Xii, Proceedings of Spie, 9810, ed. Tarasenko V. Kabanov A., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2015, 981005  crossref  isi  scopus
    7. F. Gao, F. Chen, J.J. Xie, D.J. Li, L.M. Zhang, Optik - International Journal for Light and Electron Optics, 2013  crossref  isi  scopus
    8. A A Belevtsev, K N Firsov, S Yu Kazantsev, I G Kononov, S V Podlesnykh, J. Phys. D: Appl. Phys, 44:50 (2011), 505202  crossref  isi  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:447
    PDF полного текста:111
    Список литературы:55
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025