Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1116–1124
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44800.8559 (Mi phts6080) 		 
Эта публикация цитируется в 49 научных статьях (всего в 49 статьях)

Углеродные системы

Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)

В. Ю. Давыдовab, Д. Ю. Усачёвc, С. П. Лебедевa, А. Н. Смирновba, В. С. Левицкийa, И. А. Елисеевca, П. А. Алексеевa, М. С. Дунаевскийa, О. Ю. Вилковc, А. Г. Рыбкинc, А. А. Лебедевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский государственный университет
PDF полного текста (640 kB) Список цитирования (49)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44800.8559
Аннотация: С использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света, атомно-силовой микроскопии, дифракции медленных электронов, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением и спектроскопии рентгеновского поглощения вблизи $K$-края углерода изучены структурные, химические и электронные свойства эпитаксиальных графеновых пленок, выращенных методом термического разложения Si-грани полуизолирующей подложки 6$H$-SiC в среде аргона. Показано, что результаты систематических комплексных исследований позволили оптимизировать ростовые параметры и создать надежную технологию роста высококачественных однослойных пленок графена с небольшой долей включений двухслойного графена.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1072–1080
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1116–1124; Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DavUsaLeb17}
\by В.~Ю.~Давыдов, Д.~Ю.~Усачёв, С.~П.~Лебедев, А.~Н.~Смирнов, В.~С.~Левицкий, И.~А.~Елисеев, П.~А.~Алексеев, М.~С.~Дунаевский, О.~Ю.~Вилков, А.~Г.~Рыбкин, А.~А.~Лебедев
\paper Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1116--1124
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6080}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44800.8559}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938293}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1072--1080
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6080
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1116
    • Эта публикация цитируется в следующих 49 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024