|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки
А. А. Лебедевa, В. В. Козловскийb, П. А. Ивановa, М. Е. Левинштейнa, А. В. Зубовc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Исследовано влияние облучения высоковольтных (рабочее напряжение 1700 В) интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки электронами высокой энергии (0.9 МэВ) на характеристики ударных токов в микросекундном диапазоне длительности импульсов прямого тока. С ростом дозы $\Phi$ порог инжекции дырок монотонно повышается, а уровень модуляции базы неосновными носителями (дырками) монотонно понижается. При $\Phi$ = 1.5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$ инжекция дырок не наблюдается вплоть до значений прямого напряжения $\sim$30 В и плотности прямого тока $j\approx$ 9000 А/см$^{2}$.
Ключевые слова:
карбид кремния, диоды Шоттки, электронное облучение, ударные токи.
Поступила в редакцию: 16.05.2019 Исправленный вариант: 24.05.2019 Принята в печать: 24.05.2019
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1448–1452; Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5395 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1448
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 35 | PDF полного текста: | 14 |
|