Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 7, страницы 991–994
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089
(Mi phts5467)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами

O. M. Корольковa, В. В. Козловскийb, А. А. Лебедевc, Н. Слепчукa, J. Toompuua, T. Ranga

a Tallinn University of Technology, Tallinn, Estonia
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследовано влияние низкотемпературного (до 600$^\circ$С) изотермическoго и изохронного отжигов на изменение электрофизических характеристик, облученных JBS диодов Шоттки на основе $n$-4$H$-SiC. Облучение выполнялось электронами с энергией 0.9 МэВ дозой 1 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Показано, что основное восстановление прямых вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик облученных диодов происходит при температурах отжига до 300$^\circ$С. При увеличении температуры отжига до 500$^\circ$С происходит отжиг практически 90% введенных облучением быстрыми электронами радиационных дефектов. Для использования в инженерии радиационных дефектов (Radiation Defect Engineering) рекомендуемые режимы стабилизирующего отжига могут составлять 500$^\circ$С, 30 мин.
Ключевые слова: карбид кремния, облучение электронами, радиационные дефекты, отжиг.
Поступила в редакцию: 21.02.2019
Исправленный вариант: 24.02.2019
Принята в печать: 24.02.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 7, Pages 975–978
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619070133
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: O. M. Корольков, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Н. Слепчук, J. Toompuu, T. Rang, “Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 991–994; Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorKozLeb19}
\by O.~M.~Корольков, В.~В.~Козловский, А.~А.~Лебедев, Н.~Слепчук, J.~Toompuu, T.~Rang
\paper Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 991--994
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5467}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.07.47879.9089}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=39133328}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 7
\pages 975--978
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619070133}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5467
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p991
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024