|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)
В. В. Козловскийa, А. А. Лебедевb, А. М. Стрельчукb, К. С. Давыдовскаяb, А. Э. Васильевa, Л. Ф. Макаренкоc a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Белорусский государственный университет, г. Минск
Аннотация:
Проведено исследование электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD) при его облучении электронами с энергиями 0.9 и 3.5 МэВ. Показано, что скорость удаления доноров увеличивается почти в 4 раза с ростом энергии бомбардирующих электронов в 4 раза, хотя сечение образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля в подрешетке углерода), ответственных за компенсацию проводимости материала, в этом диапазоне практически не зависит от энергии. Предположено, что причиной наблюдаемых различий является влияние первично выбитых атомов. Во-первых, с ростом энергии первично выбитых атомов начинают сказываться каскадные процессы. Во-вторых, увеличивается среднее расстояние между генетически родственными парами Френкеля и как следствие увеличивается доля не рекомбинирующих при облучении дефектов. Проведены оценки радиуса рекомбинации пары Френкеля в подрешетке углерода и возможного зарядового состояния рекомбинирующих компонент.
Поступила в редакцию: 07.09.2016 Принята в печать: 14.09.2016
Образец цитирования:
В. В. Козловский, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, А. Э. Васильев, Л. Ф. Макаренко, “Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 311–316; Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6201 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p311
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 9 |
|