Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1317–1320
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46591.13 (Mi phts5688) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена

Р. Р. Резникa, К. П. Котлярb, И. В. Илькивb, И. П. Сошниковbcd, С. П. Лебедевd, А. А. Лебедевd, Д. А. Кириленкоd, П. А. Алексеевd, Г. Э. Цырлинb

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (485 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46591.13
Аннотация: Впервые была продемонстрирована принципиальная возможность синтеза GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке карбида кремниям с пленкой графена. InP-нанокристаллы на такой подложке не имеют дефектов упаковки и обладают идеальным кристаллографическим качеством, в то время как GaP нитевидные кристаллы имеют структурные дефекты типа двойников/перекидок кристаллографических фаз у вершины и основания. Результаты структурных исследований показали, что нитевидные нанокристаллы сформировались в вюрцитной фазе, не типичной для объемных III–V материалов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2483.2017/4.6
Российский научный фонд 14-12-00393
Синтез образцов был выполнен при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (в рамках выполнения государственного задания № 16.2483.2017/4.6). Исследования структурных свойств ННК были выполнены при финансовой поддержке гранта РНФ № 14-12-00393.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1428–1431
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110210
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1317–1320; Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RezKotIlk18}
\by Р.~Р.~Резник, К.~П.~Котляр, И.~В.~Илькив, И.~П.~Сошников, С.~П.~Лебедев, А.~А.~Лебедев, Д.~А.~Кириленко, П.~А.~Алексеев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1317--1320
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5688}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46591.13}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903606}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1428--1431
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110210}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5688
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1317
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    1. Prokhor A Alekseev, Bogdan R Borodin, Pavel Geydt, Vladislav Khayrudinov, Kristina Bespalova, Demid A Kirilenko, Rodion R Reznik, Alexey V Nashchekin, Tuomas Haggrén, Erkki Lähderanta, George E Cirlin, Harri Lipsanen, Mikhail S Dunaevskiy, “Effect of crystal structure on the Young's modulus of GaP nanowires”, Nanotechnology, 32:38 (2021), 385706  crossref
    2. V A Sharov, P A Alekseev, M S Dunaevskiy, I V Ilkiv, R R Reznik, G E Cirlin, “Surface state density in wurtzite InP nanowires”, J. Phys.: Conf. Ser., 1199 (2019), 012021  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025