Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1507–1511
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46766.8882 (Mi phts5669) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC

П. А. Алексеевa, М. С. Дунаевскийa, А. О. Михайловa, С. П. Лебедевb, А. А. Лебедевa, И. В. Илькивc, А. И. Хребтовb, А. Д. Буравлевacd, Г. Э. Цырлинbcd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (693 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46766.8882
Аннотация: by 0.6pt Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой $\sim$0.6 В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60147 мол_а_дк
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2483.2017/4.6
16.9789.2017/БЧ
Работа поддержана грантом РФФИ № 16-32-60147 мол_а_дк. Синтез образцов был выполнен при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (в рамках выполнения госзадания № 16.2483.2017/4.6 и 16.9789.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 09.04.2018
Принята в печать: 17.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1611–1615
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120047
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1507–1511; Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDunMik18}
\by П.~А.~Алексеев, М.~С.~Дунаевский, А.~О.~Михайлов, С.~П.~Лебедев, А.~А.~Лебедев, И.~В.~Илькив, А.~И.~Хребтов, А.~Д.~Буравлев, Г.~Э.~Цырлин
\paper Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1507--1511
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5669}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46766.8882}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903643}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1611--1615
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120047}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5669
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1507
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024