|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.
Поступила: 4 сентября 2018 г. Доработана: 1 октября 2018 г. Одобрена в печать: 4 октября 2018 г.
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848; Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn6380 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v189/i8/p803
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 276 | PDF полного текста: | 19 | Список литературы: | 30 | Первая страница: | 11 |
|