Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2019, том 189, номер 8, страницы 803–848
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437 (Mi ufn6380) 		 
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (2026 kB) Список цитирования (15)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437
Аннотация: Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-42-01098
Работа поддержана Российским научным фондом (грант 16-42-01098).
Поступила: 4 сентября 2018 г.
Доработана: 1 октября 2018 г.
Одобрена в печать: 4 октября 2018 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2019, Volume 62, Issue 8, Pages 754–794
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2018.10.038437
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.05.ue, 81.10.-h, 85.30.-z
Образец цитирования: А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848; Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebIvaLev19}
\by А.~А.~Лебедев, П.~А.~Иванов, М.~Е.~Левинштейн, Е.~Н.~Мохов, С.~С.~Нагалюк, А.~Н.~Анисимов, П.~Г.~Баранов
\paper Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им.~А.Ф.~Иоффе РАН)
\jour УФН
\yr 2019
\vol 189
\issue 8
\pages 803--848
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6380}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2019PhyU...62..754L}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43230984}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2019
\vol 62
\issue 8
\pages 754--794
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2018.10.038437}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000504891900002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85076766922}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6380
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v189/i8/p803
    Публикации по теме
    Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:268
    PDF полного текста:16
    Список литературы:25
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024