|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs
А. А. Лебедевa, М. Е. Левинштейнa, П. А. Ивановa, В. В. Козловскийb, А. М. Стрельчукa, Е. И. Шабунинаa, L. Fursinc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
c United Silicon Carbide, Inc., Suite E Monmouth Junction, NJ 08852, USA
Аннотация:
В диапазоне частот 1 Гц–50 кГц исследован низкочастотный шум в мощных 4$H$-SiC MOSFETs, подвергнутых облучению протонами с энергией 15 МэВ в диапазоне доз $\Phi$ 10$^{12}$–6 $\cdot$ 10$^{13}$ cм$^{-2}$. Частотная зависимость спектральной плотности шума с хорошей точностью следует зависимости $S_{I}\propto 1/f$. Прослежена корреляция между величиной тока насыщения выходной характеристики $I_{d}(V_{d}$) и уровнем низкочастотного шума. В диапазоне доз 10$^{12}\le\Phi\le$ 6 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$ значение тока насыщения изменяется в пределах $\sim$20%, в то время как уровень шума меняется на 2 порядка. Из данных шумовой спектроскопии оценена плотность ловушек в подзатворном окисле $N_{tv}$. В необлученных структурах $N_{tv}\approx$ 5.4 $\cdot$ 10$^{18}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$. При $\Phi$ = 6 $\cdot$ 10$^{13}$ cм$^{-2}$ величина $N_{tv}$ возрастает до значения $N_{tv}\approx$ 7.2 $\cdot$ 10$^{19}$ cм$^{-3}$ $\cdot$ эВ$^{-1}$.
Ключевые слова:
SiC MOSFETs, протонное облучение, низкочастотный шум.
Поступила в редакцию: 23.07.2019 Исправленный вариант: 29.07.2019 Принята в печать: 29.07.2019
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1604–1608; Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5318 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1604
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 16 |
|