Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Графены
Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме
Аннотация:
Исследована структура эпитаксиального графена, полученного в результате термодеструкции поверхности карбида кремния в условиях вакуумного синтеза и в среде Ar, методом электронографии на отражение. В результате проведенного исследования установлено значительно более однородное покрытие буферного слоя на поверхности SiC графеном при формировании его в инертной среде на поверхности политипов 4H- и 6H-SiC(0001) по сравнению с синтезом графена в вакууме. Показана зависимость качества покрытия от степени совершенства исходного монокристалла.
Статья подготовлена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (cоглашение № 14.575.21.0148, уникальный номер проекта RFMEFI57517X0148).
Поступила в редакцию: 28.03.2019 Исправленный вариант: 28.03.2019 Принята в печать: 02.04.2019
Образец цитирования:
И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1978–1984; Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1940–1946
\RBibitem{KotLebLeb19}
\by И.~С.~Котоусова, С.~П.~Лебедев, А.~А.~Лебедев, П.~В.~Булат
\paper Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме
\jour Физика твердого тела
\yr 2019
\vol 61
\issue 10
\pages 1978--1984
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt8686}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2019.10.48280.434}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174955}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2019
\vol 61
\issue 10
\pages 1940--1946
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783419100226}
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt8686
https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v61/i10/p1978
Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
Ramaswamy Sandeep Perala, Narendhar Chandrasekar, Ramachandran Balaji, Pinky Steffi Alexander, Nik Zulkarnine Nik Humaidi, Michael Taeyoung Hwang, “A comprehensive review on graphene-based materials: From synthesis to contemporary sensor applications”, Materials Science and Engineering: R: Reports, 159 (2024), 100805
I S Kotousova, S P Lebedev, V V Antipov, A A Lebedev, “Electron diffraction study of the transformation 6√3 reconstruction on 4H–SiC(0001) into quasi-free-standing epitaxial graphene”, Bull Mater Sci, 47:4 (2024)
Hyuk Jin Kim, Minsu Chong, Tae Gyu Rhee, Yeong Gwang Khim, Min-Hyoung Jung, Young-Min Kim, Hu Young Jeong, Byoung Ki Choi, Young Jun Chang, “Machine-learning-assisted analysis of transition metal dichalcogenide thin-film growth”, Nano Convergence, 10:1 (2023)
Sobin Mathew, Sergey P. Lebedev, Alexander A. Lebedev, Bernd Hähnlein, Jaqueline Stauffenberg, Kashyap Udas, Heiko O. Jacobs, Eberhard Manske, Jörg Pezoldt, “Nanoscale surface morphology modulation of graphene – i-SiC heterostructures”, Materials Today: Proceedings, 53 (2022), 289