Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме

Исследована структура эпитаксиального графена, полученного в результате термодеструкции поверхности карбида кремния в условиях вакуумного синтеза и в среде Ar, методом электронографии на отражение. В результате проведенного исследования установлено значительно более однородное покрытие буферного слоя на поверхности SiC графеном при формировании его в инертной среде на поверхности политипов 4$H$- и 6$H$-SiC(0001) по сравнению с синтезом графена в вакууме. Показана зависимость качества покрытия от степени совершенства исходного монокристалла.